Зображення обкладинки

Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>>

У роботі представлені результати досліджень електропровідних властивостей супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>> в залежності від ступеня ієрархізації гостьового контенту. Зокрема показано, що впровадження тіосечовини між...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Журнал физики и инженерии поверхности
Дата:	2017
Автори:	Іващишин, Ф.О., Григорчак, І.І., Матулка, Д.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2017
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122603
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>> / Ф.О. Іващишин, І.І. Григорчак, Д.В. Матулка // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 4-11. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Microscopic theory of the influence of dipole superparamagnetics (type &lt;β–CD&lt;FeSO4&gt;&gt;) on current flow in semiconductor layered structures (type GaSe, InSe)
за авторством: P. P. Kostrobij, та інші
Опубліковано: (2021)

Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
за авторством: Нетяга, В.В., та інші
Опубліковано: (2018)

Модифікація властивостей клатрато/кавітандних комплексів InSe<CS(NH₂)₂> ТА GaSe<CS(NH₂)₂> при їх синтезі в магнітному полі
за авторством: Іващишин, Ф.О., та інші
Опубліковано: (2016)

Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃>
за авторством: Бахтінов, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Impedance Anisotropy and Quantum Photocapacity of Bio/Inorganic Clathrates InSe<HISTIDINE> and GaSe<HISTIDINE>
за авторством: Ivashchyshyn, F.O., та інші
Опубліковано: (2015)

Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>
за авторством: Мустафаева, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)

Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>
за авторством: Мустафаева, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)

Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe &lt; RbNO3&gt;
за авторством: V. V. Netjaga, та інші
Опубліковано: (2018)

Modification of the properties of InSe β-CD FeSO4 clathrate/cavitate complexes with hierarchical architecture at their synthesis in crossed electric and light-wave fields
за авторством: I. I. Grygorchak, та інші
Опубліковано: (2017)

Modification of the properties of InSe β-CD FeSO4 clathrate/cavitate complexes with hierarchical architecture at their synthesis in crossed electric and light-wave fields
за авторством: I. I. Hryhorchak, та інші
Опубліковано: (2017)

Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe
за авторством: Tkachuk, I.G., та інші
Опубліковано: (2018)

The influence of the guest cavitations loading degree in fractal nanohybrids GaSe&lt;β-cyclodextrin&lt;FeSO4&gt;&gt; on the current passing and polarization processes. The giant &quot;battery spin&quot; effect at room temperature
за авторством: F. O. Ivashchyshyn, та інші
Опубліковано: (2017)

Створення гетероструктури n-InSe-графіт
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2016)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2012)

Immersion zone irradiated with n-InSe electrons
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2013)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2010)

Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)
за авторством: Хейфец, О.Л., та інші
Опубліковано: (2007)

Домішкова зона в опроміненому електронами n-InSe
за авторством: Мінтянський, І.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)

Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2000)

Анізотропія властивостей та гігантський магнітоємнісний ефект в біо/неорганічному мультипошаровому нанокомпозиті GaSe <гістидин>
за авторством: Іващишин, Ф.О., та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of the electron irradiation on electrical properties of n-InSe and their anisotropy
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2018)

Luminescence of crystals ZnSe &lt;AI&gt;:Gd
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2018)

Study of the excitation of 11/2&lt;sup&gt;–&lt;/sup&gt; isomeric state of the nucleus &lt;sup&gt;139&lt;/sup&gt;Se in reaction (&amp;gamma;,n)&lt;sup&gt;m&lt;/sup&gt; in the giant E1-resonance region
за авторством: V. M. Mazur, та інші
Опубліковано: (2017)

Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2022)

The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2011)

The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2011)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)

Investigation of the interaction of lithium with n-InSe: spectra of inpedance and X-ray diffraction
за авторством: S. V. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2015)

Direct current transport mechanisms in n-InSe/p-CdTe heterostructure
за авторством: Gorley, P.M., та інші
Опубліковано: (2008)

Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Electrical properties of fast cooled InSe single crystals
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)

The effect of thermal treatment on the properties of the InSe and GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem
за авторством: Z. D. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)