Жураев, Н., Халилов, М., Отажонов, С., & Алимов, Н. (2017). Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями. Журнал физики и инженерии поверхности.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Жураев, Н, М Халилов, С Отажонов, und Н Алимов. "Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах P-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями." Журнал физики и инженерии поверхности 2017.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Жураев, Н, et al. "Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах P-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями." Журнал физики и инженерии поверхности, 2017.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.