Жураев, Н., Халилов, М., Отажонов, С., & Алимов, Н. (2017). Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями. Журнал физики и инженерии поверхности.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Жураев, Н, М Халилов, С Отажонов, та Н Алимов. "Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах P-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями." Журнал физики и инженерии поверхности 2017.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Жураев, Н, et al. "Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах P-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями." Журнал физики и инженерии поверхности, 2017.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.