Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями

• Veröffentlicht in: Журнал физики и инженерии поверхности
• Datum: 2017
• Hauptverfasser: Жураев, Н., Халилов, М., Отажонов, С., Алимов, Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2017
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122606
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями / Н. Жураев, М. Халилов, С. Отажонов, Н. Алимов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 29-32. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Изучено фоточувствительность и механизм протекания тока в низкоразмерных гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями. Обнаружена пикосекундная фотопроводимость,
 что свидетельствует о наличии большой концентрации поверхностных рекомбинационных центров в пленках CdTe. Вивчено фоточувствительность і механізм протікання струму в низьковимірних гетероструктурах
 p-CdTe-SiO₂-Si з глибокими домішковими рівнями. Виявлена пікосекундна фотопровідність, що свідчить про наявність великої концентрації поверхневих рекомбінаційних центрів в плівках
 CdTe. The photosensitivity and the current flow mechanism in low-dimensional p-CdTe-SiO₂-Si heterostructures with deep impurity levels are studied. A picosecond photoconductivity was
 detected, which indicates the presence of a large concentration of surface recombination centers in CdTe films.