Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями
Изучено фоточувствительность и механизм протекания тока в низкоразмерных гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями. Обнаружена пикосекундная фотопроводимость,
 что свидетельствует о наличии большой концентрации поверхностных рекомбинационных центров в пленках CdTe. Вивч...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Журнал физики и инженерии поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2017 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2017
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122606 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями / Н. Жураев, М. Халилов, С. Отажонов, Н. Алимов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 29-32. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862567627483774976 |
|---|---|
| author | Жураев, Н. Халилов, М. Отажонов, С. Алимов, Н. |
| author_facet | Жураев, Н. Халилов, М. Отажонов, С. Алимов, Н. |
| citation_txt | Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями / Н. Жураев, М. Халилов, С. Отажонов, Н. Алимов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 29-32. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Журнал физики и инженерии поверхности |
| description | Изучено фоточувствительность и механизм протекания тока в низкоразмерных гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями. Обнаружена пикосекундная фотопроводимость,
что свидетельствует о наличии большой концентрации поверхностных рекомбинационных центров в пленках CdTe.
Вивчено фоточувствительность і механізм протікання струму в низьковимірних гетероструктурах
p-CdTe-SiO₂-Si з глибокими домішковими рівнями. Виявлена пікосекундна фотопровідність, що свідчить про наявність великої концентрації поверхневих рекомбінаційних центрів в плівках
CdTe.
The photosensitivity and the current flow mechanism in low-dimensional p-CdTe-SiO₂-Si heterostructures with deep impurity levels are studied. A picosecond photoconductivity was
detected, which indicates the presence of a large concentration of surface recombination centers in CdTe films.
|
| first_indexed | 2025-11-26T00:18:46Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122606 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2519-2485 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-26T00:18:46Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Жураев, Н. Халилов, М. Отажонов, С. Алимов, Н. 2017-07-15T14:32:14Z 2017-07-15T14:32:14Z 2017 Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями / Н. Жураев, М. Халилов, С. Отажонов, Н. Алимов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 29-32. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2519-2485 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122606 621. 315. 593 Изучено фоточувствительность и механизм протекания тока в низкоразмерных гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями. Обнаружена пикосекундная фотопроводимость,
 что свидетельствует о наличии большой концентрации поверхностных рекомбинационных центров в пленках CdTe. Вивчено фоточувствительность і механізм протікання струму в низьковимірних гетероструктурах
 p-CdTe-SiO₂-Si з глибокими домішковими рівнями. Виявлена пікосекундна фотопровідність, що свідчить про наявність великої концентрації поверхневих рекомбінаційних центрів в плівках
 CdTe. The photosensitivity and the current flow mechanism in low-dimensional p-CdTe-SiO₂-Si heterostructures with deep impurity levels are studied. A picosecond photoconductivity was
 detected, which indicates the presence of a large concentration of surface recombination centers in CdTe films. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Журнал физики и инженерии поверхности Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями Фоточутливість і механізм протікання струму в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si з глибокими домішковими рівнями Photosensitivity and current flow mechanism in p-CdTe-SiO₂-Si heterostructures with deep impurity levels Article published earlier |
| spellingShingle | Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями Жураев, Н. Халилов, М. Отажонов, С. Алимов, Н. |
| title | Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями |
| title_alt | Фоточутливість і механізм протікання струму в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si з глибокими домішковими рівнями Photosensitivity and current flow mechanism in p-CdTe-SiO₂-Si heterostructures with deep impurity levels |
| title_full | Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями |
| title_fullStr | Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями |
| title_full_unstemmed | Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями |
| title_short | Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями |
| title_sort | фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-cdte-sio₂-si с глубокими примесными уровнями |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122606 |
| work_keys_str_mv | AT žuraevn fotočuvstvitelʹnostʹimehanizmprotekaniâtokavgeterostrukturahpcdtesio2sisglubokimiprimesnymiurovnâmi AT halilovm fotočuvstvitelʹnostʹimehanizmprotekaniâtokavgeterostrukturahpcdtesio2sisglubokimiprimesnymiurovnâmi AT otažonovs fotočuvstvitelʹnostʹimehanizmprotekaniâtokavgeterostrukturahpcdtesio2sisglubokimiprimesnymiurovnâmi AT alimovn fotočuvstvitelʹnostʹimehanizmprotekaniâtokavgeterostrukturahpcdtesio2sisglubokimiprimesnymiurovnâmi AT žuraevn fotočutlivístʹímehanízmprotíkannâstrumuvgeterostrukturahpcdtesio2sizglibokimidomíškovimirívnâmi AT halilovm fotočutlivístʹímehanízmprotíkannâstrumuvgeterostrukturahpcdtesio2sizglibokimidomíškovimirívnâmi AT otažonovs fotočutlivístʹímehanízmprotíkannâstrumuvgeterostrukturahpcdtesio2sizglibokimidomíškovimirívnâmi AT alimovn fotočutlivístʹímehanízmprotíkannâstrumuvgeterostrukturahpcdtesio2sizglibokimidomíškovimirívnâmi AT žuraevn photosensitivityandcurrentflowmechanisminpcdtesio2siheterostructureswithdeepimpuritylevels AT halilovm photosensitivityandcurrentflowmechanisminpcdtesio2siheterostructureswithdeepimpuritylevels AT otažonovs photosensitivityandcurrentflowmechanisminpcdtesio2siheterostructureswithdeepimpuritylevels AT alimovn photosensitivityandcurrentflowmechanisminpcdtesio2siheterostructureswithdeepimpuritylevels |