Cover Image

Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями

Изучено фоточувствительность и механизм протекания тока в низкоразмерных гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями. Обнаружена пикосекундная фотопроводимость, что свидетельствует о наличии большой концентрации поверхностных рекомбинационных центров в пленках CdTe. Вивчено фото...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Журнал физики и инженерии поверхности
Date:2017
Main Authors: Жураев, Н., Халилов, М., Отажонов, С., Алимов, Н.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2017
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122606
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями / Н. Жураев, М. Халилов, С. Отажонов, Н. Алимов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 29-32. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items