Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе
В статье приводятся результаты экспериментальных исследований явления в плоской газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Показана возможность ограничения фона, который является препятствием для повышения контрастности выходного изображения. У статті наводяться результати експериментальни...
Saved in:
| Published in: | Журнал физики и инженерии поверхности |
|---|---|
| Date: | 2017 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2017
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122610 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе / Х.Т. Йулдашев, Ш.С. Ахмедов, У.С. Рустамов, К.М. Эргашев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 47-51. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122610 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Йулдашев, Х.Т. Ахмедов, Ш.С. Рустамов, У.С. Эргашев, К.М. 2017-07-15T14:39:57Z 2017-07-15T14:39:57Z 2017 Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе / Х.Т. Йулдашев, Ш.С. Ахмедов, У.С. Рустамов, К.М. Эргашев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 47-51. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2519-2485 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122610 621.393.3:621.382:621.385 В статье приводятся результаты экспериментальных исследований явления в плоской газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Показана возможность ограничения фона, который является препятствием для повышения контрастности выходного изображения. У статті наводяться результати експериментальних досліджень явища в плоскій газорозрядній комірці з напівпровідниковим електродом. Показана можливість обмеження фону, який є перешкодою для підвищення контрастності вихідного зображення. Results of experimental exploration phenomenon in plane gas discharge cell with semiconductor electrode reduces in the article. Possibility of limitation of background, which appears the hindrance for raising of contrast gratuity representation was shown. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Журнал физики и инженерии поверхности Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе Дослідження фонового випромінювання та можливості його обмеження в напівпровідниковій іонізаційній системі Study of background radiation and its possibility limitations in the semiconductor ionization system Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе |
| spellingShingle |
Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе Йулдашев, Х.Т. Ахмедов, Ш.С. Рустамов, У.С. Эргашев, К.М. |
| title_short |
Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе |
| title_full |
Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе |
| title_fullStr |
Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе |
| title_full_unstemmed |
Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе |
| title_sort |
исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе |
| author |
Йулдашев, Х.Т. Ахмедов, Ш.С. Рустамов, У.С. Эргашев, К.М. |
| author_facet |
Йулдашев, Х.Т. Ахмедов, Ш.С. Рустамов, У.С. Эргашев, К.М. |
| publishDate |
2017 |
| language |
Russian |
| container_title |
Журнал физики и инженерии поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Дослідження фонового випромінювання та можливості його обмеження в напівпровідниковій іонізаційній системі Study of background radiation and its possibility limitations in the semiconductor ionization system |
| description |
В статье приводятся результаты экспериментальных исследований явления в плоской газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Показана возможность ограничения фона, который является препятствием для повышения контрастности выходного изображения.
У статті наводяться результати експериментальних досліджень явища в плоскій газорозрядній комірці з напівпровідниковим електродом. Показана можливість обмеження фону, який є перешкодою для підвищення контрастності вихідного зображення.
Results of experimental exploration phenomenon in plane gas discharge cell with semiconductor electrode reduces in the article. Possibility of limitation of background, which appears the hindrance for raising of contrast gratuity representation was shown.
|
| issn |
2519-2485 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122610 |
| citation_txt |
Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе / Х.Т. Йулдашев, Ш.С. Ахмедов, У.С. Рустамов, К.М. Эргашев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 47-51. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT iuldaševht issledovaniefonovogoizlučeniâivozmožnostiegoograničeniâvpoluprovodnikovoiionizacionnoisisteme AT ahmedovšs issledovaniefonovogoizlučeniâivozmožnostiegoograničeniâvpoluprovodnikovoiionizacionnoisisteme AT rustamovus issledovaniefonovogoizlučeniâivozmožnostiegoograničeniâvpoluprovodnikovoiionizacionnoisisteme AT érgaševkm issledovaniefonovogoizlučeniâivozmožnostiegoograničeniâvpoluprovodnikovoiionizacionnoisisteme AT iuldaševht doslídžennâfonovogovipromínûvannâtamožlivostíiogoobmežennâvnapívprovídnikovíiíonízacíiníisistemí AT ahmedovšs doslídžennâfonovogovipromínûvannâtamožlivostíiogoobmežennâvnapívprovídnikovíiíonízacíiníisistemí AT rustamovus doslídžennâfonovogovipromínûvannâtamožlivostíiogoobmežennâvnapívprovídnikovíiíonízacíiníisistemí AT érgaševkm doslídžennâfonovogovipromínûvannâtamožlivostíiogoobmežennâvnapívprovídnikovíiíonízacíiníisistemí AT iuldaševht studyofbackgroundradiationanditspossibilitylimitationsinthesemiconductorionizationsystem AT ahmedovšs studyofbackgroundradiationanditspossibilitylimitationsinthesemiconductorionizationsystem AT rustamovus studyofbackgroundradiationanditspossibilitylimitationsinthesemiconductorionizationsystem AT érgaševkm studyofbackgroundradiationanditspossibilitylimitationsinthesemiconductorionizationsystem |
| first_indexed |
2025-12-07T17:35:05Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:35:05Z |
| _version_ |
1850871806753243136 |