Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе

В статье приводятся результаты экспериментальных исследований явления в плоской газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Показана возможность ограничения фона, который является препятствием для повышения контрастности выходного изображения. У статті наводяться результати експериментальни...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Журнал физики и инженерии поверхности
Date:2017
Main Authors: Йулдашев, Х.Т., Ахмедов, Ш.С., Рустамов, У.С., Эргашев, К.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2017
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122610
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе / Х.Т. Йулдашев, Ш.С. Ахмедов, У.С. Рустамов, К.М. Эргашев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 47-51. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862712112466362368
author Йулдашев, Х.Т.
Ахмедов, Ш.С.
Рустамов, У.С.
Эргашев, К.М.
author_facet Йулдашев, Х.Т.
Ахмедов, Ш.С.
Рустамов, У.С.
Эргашев, К.М.
citation_txt Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе / Х.Т. Йулдашев, Ш.С. Ахмедов, У.С. Рустамов, К.М. Эргашев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 47-51. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Журнал физики и инженерии поверхности
description В статье приводятся результаты экспериментальных исследований явления в плоской газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Показана возможность ограничения фона, который является препятствием для повышения контрастности выходного изображения. У статті наводяться результати експериментальних досліджень явища в плоскій газорозрядній комірці з напівпровідниковим електродом. Показана можливість обмеження фону, який є перешкодою для підвищення контрастності вихідного зображення. Results of experimental exploration phenomenon in plane gas discharge cell with semiconductor electrode reduces in the article. Possibility of limitation of background, which appears the hindrance for raising of contrast gratuity representation was shown.
first_indexed 2025-12-07T17:35:05Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122610
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2519-2485
language Russian
last_indexed 2025-12-07T17:35:05Z
publishDate 2017
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
record_format dspace
spelling Йулдашев, Х.Т.
Ахмедов, Ш.С.
Рустамов, У.С.
Эргашев, К.М.
2017-07-15T14:39:57Z
2017-07-15T14:39:57Z
2017
Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе / Х.Т. Йулдашев, Ш.С. Ахмедов, У.С. Рустамов, К.М. Эргашев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 47-51. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
2519-2485
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122610
621.393.3:621.382:621.385
В статье приводятся результаты экспериментальных исследований явления в плоской газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Показана возможность ограничения фона, который является препятствием для повышения контрастности выходного изображения.
У статті наводяться результати експериментальних досліджень явища в плоскій газорозрядній комірці з напівпровідниковим електродом. Показана можливість обмеження фону, який є перешкодою для підвищення контрастності вихідного зображення.
Results of experimental exploration phenomenon in plane gas discharge cell with semiconductor electrode reduces in the article. Possibility of limitation of background, which appears the hindrance for raising of contrast gratuity representation was shown.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Журнал физики и инженерии поверхности
Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе
Дослідження фонового випромінювання та можливості його обмеження в напівпровідниковій іонізаційній системі
Study of background radiation and its possibility limitations in the semiconductor ionization system
Article
published earlier
spellingShingle Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе
Йулдашев, Х.Т.
Ахмедов, Ш.С.
Рустамов, У.С.
Эргашев, К.М.
title Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе
title_alt Дослідження фонового випромінювання та можливості його обмеження в напівпровідниковій іонізаційній системі
Study of background radiation and its possibility limitations in the semiconductor ionization system
title_full Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе
title_fullStr Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе
title_full_unstemmed Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе
title_short Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе
title_sort исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122610
work_keys_str_mv AT iuldaševht issledovaniefonovogoizlučeniâivozmožnostiegoograničeniâvpoluprovodnikovoiionizacionnoisisteme
AT ahmedovšs issledovaniefonovogoizlučeniâivozmožnostiegoograničeniâvpoluprovodnikovoiionizacionnoisisteme
AT rustamovus issledovaniefonovogoizlučeniâivozmožnostiegoograničeniâvpoluprovodnikovoiionizacionnoisisteme
AT érgaševkm issledovaniefonovogoizlučeniâivozmožnostiegoograničeniâvpoluprovodnikovoiionizacionnoisisteme
AT iuldaševht doslídžennâfonovogovipromínûvannâtamožlivostíiogoobmežennâvnapívprovídnikovíiíonízacíiníisistemí
AT ahmedovšs doslídžennâfonovogovipromínûvannâtamožlivostíiogoobmežennâvnapívprovídnikovíiíonízacíiníisistemí
AT rustamovus doslídžennâfonovogovipromínûvannâtamožlivostíiogoobmežennâvnapívprovídnikovíiíonízacíiníisistemí
AT érgaševkm doslídžennâfonovogovipromínûvannâtamožlivostíiogoobmežennâvnapívprovídnikovíiíonízacíiníisistemí
AT iuldaševht studyofbackgroundradiationanditspossibilitylimitationsinthesemiconductorionizationsystem
AT ahmedovšs studyofbackgroundradiationanditspossibilitylimitationsinthesemiconductorionizationsystem
AT rustamovus studyofbackgroundradiationanditspossibilitylimitationsinthesemiconductorionizationsystem
AT érgaševkm studyofbackgroundradiationanditspossibilitylimitationsinthesemiconductorionizationsystem