Антрацен між шарами неорганічного напівпровідника: відгук на електричне поле і освітлення
Представлені результати дослідження властивостей клатратів матриць GaSe та InSe з «гостьовим» антраценом (С₁₄Н₁₀) та їх зміни у зовнішніх електричному та світлової хвилі полях. Встановлені закономірності трансформації спектру рентгенівської дифракції вихідних матриць при впровадженні антрацену. На о...
Saved in:
| Published in: | Журнал физики и инженерии поверхности |
|---|---|
| Date: | 2017 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2017
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122611 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Антрацен між шарами неорганічного напівпровідника: відгук на електричне поле і освітлення / І.І. Григорчак, Ф.О. Іващишин, Ю.О. Кулик, О.І. Григорчак // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 52-61. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862636743268761600 |
|---|---|
| author | Григорчак, І.І Іващишин, Ф.О. Кулик, Ю.О. Григорчак, О.І. |
| author_facet | Григорчак, І.І Іващишин, Ф.О. Кулик, Ю.О. Григорчак, О.І. |
| citation_txt | Антрацен між шарами неорганічного напівпровідника: відгук на електричне поле і освітлення / І.І. Григорчак, Ф.О. Іващишин, Ю.О. Кулик, О.І. Григорчак // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 52-61. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Журнал физики и инженерии поверхности |
| description | Представлені результати дослідження властивостей клатратів матриць GaSe та InSe з «гостьовим» антраценом (С₁₄Н₁₀) та їх зміни у зовнішніх електричному та світлової хвилі полях. Встановлені закономірності трансформації спектру рентгенівської дифракції вихідних матриць при впровадженні антрацену. На основі частотних залежностей питомого комплексного імпедансу встановлені особливості струмопроходження перпендикулярно до нанопрошарків. Імпедансні дослідження відгуку сформованих клатратів на зовнішні електричне та світлової хвилі поля виявили від’ємний фотодіелектричний ефект і неординарну (осциляційну) поведінку реальної складової комплексного імпедансу, ініційовану постійним електричним полем. Вивчено відмінності властивостей наноструктур InSe<С₁₄Н₁₀> при їх фотоелектретизаційному синтезі та синтезі за звичайних умов.
Представлены результаты исследований свойств клатратов матриц GaSe и InSe с «гостевым» антраценом (С₁₄Н₁₀) и их изменения во внешних электрическом поле и поле световой волны. Установлены закономерности трансформации спектра рентгеновской дифракции исходных матриц при внедрении антрацена. На основе частотных зависимостей удельного комплексного импеданса установлены особенности прохождения тока перпендикулярно нанослоям. Импедансные исследования отклика сформированных клатратов на внешние электрическое поле и поле световой волны обнаружили отрицательный фотодиэлектрический эффект и неординарное (осциляционное) поведение реальной составляющей комплексного импеданса, инициированное постоянным электрическим полем. Изучены различия свойств наноструктур InSe<С₁₄Н₁₀> при их фотоэлектретизационном синтезе и синтезе в обычных условиях.
Properties of Anthracene С₁₄Н₁₀-guest clathrates with GaSe and InSe matrixes and theirs behavior at applied electric field and under illumination were investigated. The mechanism of X-ray diffraction spectra transformation for initial matrixes with Anthracene intecalation was determined. Features of current flow perpendicular to nanolayers were estimated with use of frequency dependent complex specific impedance technique. Impedance investigations of synthesized clathrate`s response on external electric field and illumination showed negative photodielectric effect and unusual oscillation behavior of real component of complex impedance under electrostatic field. Differences of InSe<С₁₄Н₁₀> nanostructure`s properties at photoelectretisation synthesis and at normal conditions were investigated.
|
| first_indexed | 2025-11-30T21:56:56Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122611 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2519-2485 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-30T21:56:56Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Григорчак, І.І Іващишин, Ф.О. Кулик, Ю.О. Григорчак, О.І. 2017-07-15T14:42:12Z 2017-07-15T14:42:12Z 2017 Антрацен між шарами неорганічного напівпровідника: відгук на електричне поле і освітлення / І.І. Григорчак, Ф.О. Іващишин, Ю.О. Кулик, О.І. Григорчак // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 52-61. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. 2519-2485 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122611 537.226.8 Представлені результати дослідження властивостей клатратів матриць GaSe та InSe з «гостьовим» антраценом (С₁₄Н₁₀) та їх зміни у зовнішніх електричному та світлової хвилі полях. Встановлені закономірності трансформації спектру рентгенівської дифракції вихідних матриць при впровадженні антрацену. На основі частотних залежностей питомого комплексного імпедансу встановлені особливості струмопроходження перпендикулярно до нанопрошарків. Імпедансні дослідження відгуку сформованих клатратів на зовнішні електричне та світлової хвилі поля виявили від’ємний фотодіелектричний ефект і неординарну (осциляційну) поведінку реальної складової комплексного імпедансу, ініційовану постійним електричним полем. Вивчено відмінності властивостей наноструктур InSe<С₁₄Н₁₀> при їх фотоелектретизаційному синтезі та синтезі за звичайних умов. Представлены результаты исследований свойств клатратов матриц GaSe и InSe с «гостевым» антраценом (С₁₄Н₁₀) и их изменения во внешних электрическом поле и поле световой волны. Установлены закономерности трансформации спектра рентгеновской дифракции исходных матриц при внедрении антрацена. На основе частотных зависимостей удельного комплексного импеданса установлены особенности прохождения тока перпендикулярно нанослоям. Импедансные исследования отклика сформированных клатратов на внешние электрическое поле и поле световой волны обнаружили отрицательный фотодиэлектрический эффект и неординарное (осциляционное) поведение реальной составляющей комплексного импеданса, инициированное постоянным электрическим полем. Изучены различия свойств наноструктур InSe<С₁₄Н₁₀> при их фотоэлектретизационном синтезе и синтезе в обычных условиях. Properties of Anthracene С₁₄Н₁₀-guest clathrates with GaSe and InSe matrixes and theirs behavior at applied electric field and under illumination were investigated. The mechanism of X-ray diffraction spectra transformation for initial matrixes with Anthracene intecalation was determined. Features of current flow perpendicular to nanolayers were estimated with use of frequency dependent complex specific impedance technique. Impedance investigations of synthesized clathrate`s response on external electric field and illumination showed negative photodielectric effect and unusual oscillation behavior of real component of complex impedance under electrostatic field. Differences of InSe<С₁₄Н₁₀> nanostructure`s properties at photoelectretisation synthesis and at normal conditions were investigated. uk Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Журнал физики и инженерии поверхности Антрацен між шарами неорганічного напівпровідника: відгук на електричне поле і освітлення Антрацен между слоями неорганического полупроводника: отклик на электрическое поле и освещение Anthracene between layers of inorganic semiconductor: response on electric field and illumination Article published earlier |
| spellingShingle | Антрацен між шарами неорганічного напівпровідника: відгук на електричне поле і освітлення Григорчак, І.І Іващишин, Ф.О. Кулик, Ю.О. Григорчак, О.І. |
| title | Антрацен між шарами неорганічного напівпровідника: відгук на електричне поле і освітлення |
| title_alt | Антрацен между слоями неорганического полупроводника: отклик на электрическое поле и освещение Anthracene between layers of inorganic semiconductor: response on electric field and illumination |
| title_full | Антрацен між шарами неорганічного напівпровідника: відгук на електричне поле і освітлення |
| title_fullStr | Антрацен між шарами неорганічного напівпровідника: відгук на електричне поле і освітлення |
| title_full_unstemmed | Антрацен між шарами неорганічного напівпровідника: відгук на електричне поле і освітлення |
| title_short | Антрацен між шарами неорганічного напівпровідника: відгук на електричне поле і освітлення |
| title_sort | антрацен між шарами неорганічного напівпровідника: відгук на електричне поле і освітлення |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122611 |
| work_keys_str_mv | AT grigorčakíí antracenmížšaramineorganíčnogonapívprovídnikavídguknaelektričnepoleíosvítlennâ AT ívaŝišinfo antracenmížšaramineorganíčnogonapívprovídnikavídguknaelektričnepoleíosvítlennâ AT kulikûo antracenmížšaramineorganíčnogonapívprovídnikavídguknaelektričnepoleíosvítlennâ AT grigorčakoí antracenmížšaramineorganíčnogonapívprovídnikavídguknaelektričnepoleíosvítlennâ AT grigorčakíí antracenmeždusloâmineorganičeskogopoluprovodnikaotkliknaélektričeskoepoleiosveŝenie AT ívaŝišinfo antracenmeždusloâmineorganičeskogopoluprovodnikaotkliknaélektričeskoepoleiosveŝenie AT kulikûo antracenmeždusloâmineorganičeskogopoluprovodnikaotkliknaélektričeskoepoleiosveŝenie AT grigorčakoí antracenmeždusloâmineorganičeskogopoluprovodnikaotkliknaélektričeskoepoleiosveŝenie AT grigorčakíí anthracenebetweenlayersofinorganicsemiconductorresponseonelectricfieldandillumination AT ívaŝišinfo anthracenebetweenlayersofinorganicsemiconductorresponseonelectricfieldandillumination AT kulikûo anthracenebetweenlayersofinorganicsemiconductorresponseonelectricfieldandillumination AT grigorčakoí anthracenebetweenlayersofinorganicsemiconductorresponseonelectricfieldandillumination |