Діелектричний теплопровідний контакт для теплообмінника фотоенергетичної установки
У роботі запропоновано теплопровідний діелектричний контакт для сонячних елементів фотоенергетичної установки на основі плівкової структури Al₂O₃/ZnO/Cr/Cu. Визначено оптимальні режими отримання зазначених шарів, ключовим з яких є отримання бар’єрного бездефектного шару оксиду алюмінію. Проведено ек...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Журнал физики и инженерии поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2017 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2017
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122612 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Діелектричний теплопровідний контакт для теплообмінника фотоенергетичної установки / Р.В. Зайцев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 62-67. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122612 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Зайцев, Р.В. 2017-07-15T14:43:30Z 2017-07-15T14:43:30Z 2017 Діелектричний теплопровідний контакт для теплообмінника фотоенергетичної установки / Р.В. Зайцев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 62-67. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2519-2485 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122612 621.311.171 У роботі запропоновано теплопровідний діелектричний контакт для сонячних елементів фотоенергетичної установки на основі плівкової структури Al₂O₃/ZnO/Cr/Cu. Визначено оптимальні режими отримання зазначених шарів, ключовим з яких є отримання бар’єрного бездефектного шару оксиду алюмінію. Проведено експериментальну апробацію зазначеної структури, котра підтвердила можливість використання таких шарів для створення сонячної батареї на основі елементів із структурою InGaP/InGaAs/Ge для гібридної фотоенергетичної установки з охолодженням. В работе предложен теплопроводящий диэлектрический контакт для солнечных элементов фотоэнергетических установок на основе пленочной структуры Al₂O₃/ZnO/Cr/Cu. Определены оптимальные режимы получения указанных слоев, ключевым из которых является получение барьерного бездефектного слоя оксида алюминия. Проведена экспериментальная апробация указанной структуры, которая подтвердила возможность использования таких слоев для создания солнечной батареи на основе элементов со структурой InGaP/InGaAs/Ge для гибридной фотоэнергетической установки с охлаждением. The paper suggests conductive dielectric contact for photoenergy system solar cells based on Al₂O₃/ZnO/Cr/Cu film structures. The optimum mode of receive these layers, the key of which is to obtain defect-free aluminum oxide barrier layer, has been obtain. An experimental testing of these structures confirmed the possibility of such layers to create a solar cell based on the elements of the InGaP/InGaAs/Ge structure for hybrid photoenergy system with cooling. uk Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Журнал физики и инженерии поверхности Діелектричний теплопровідний контакт для теплообмінника фотоенергетичної установки Диэлектрический теплопроводящий контакт для теплообменника фотоэнергетической установки Dielectric thermal conducting contact for heat exchanger of photoenergy system Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Діелектричний теплопровідний контакт для теплообмінника фотоенергетичної установки |
| spellingShingle |
Діелектричний теплопровідний контакт для теплообмінника фотоенергетичної установки Зайцев, Р.В. |
| title_short |
Діелектричний теплопровідний контакт для теплообмінника фотоенергетичної установки |
| title_full |
Діелектричний теплопровідний контакт для теплообмінника фотоенергетичної установки |
| title_fullStr |
Діелектричний теплопровідний контакт для теплообмінника фотоенергетичної установки |
| title_full_unstemmed |
Діелектричний теплопровідний контакт для теплообмінника фотоенергетичної установки |
| title_sort |
діелектричний теплопровідний контакт для теплообмінника фотоенергетичної установки |
| author |
Зайцев, Р.В. |
| author_facet |
Зайцев, Р.В. |
| publishDate |
2017 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Журнал физики и инженерии поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Диэлектрический теплопроводящий контакт для теплообменника фотоэнергетической установки Dielectric thermal conducting contact for heat exchanger of photoenergy system |
| description |
У роботі запропоновано теплопровідний діелектричний контакт для сонячних елементів фотоенергетичної установки на основі плівкової структури Al₂O₃/ZnO/Cr/Cu. Визначено оптимальні режими отримання зазначених шарів, ключовим з яких є отримання бар’єрного бездефектного шару оксиду алюмінію. Проведено експериментальну апробацію зазначеної структури, котра підтвердила можливість використання таких шарів для створення сонячної батареї на основі елементів із структурою InGaP/InGaAs/Ge для гібридної фотоенергетичної установки з охолодженням.
В работе предложен теплопроводящий диэлектрический контакт для солнечных элементов фотоэнергетических установок на основе пленочной структуры Al₂O₃/ZnO/Cr/Cu. Определены оптимальные режимы получения указанных слоев, ключевым из которых является получение барьерного бездефектного слоя оксида алюминия. Проведена экспериментальная апробация указанной структуры, которая подтвердила возможность использования таких слоев для создания солнечной батареи на основе элементов со структурой InGaP/InGaAs/Ge для гибридной фотоэнергетической установки с охлаждением.
The paper suggests conductive dielectric contact for photoenergy system solar cells based on Al₂O₃/ZnO/Cr/Cu film structures. The optimum mode of receive these layers, the key of which is to obtain defect-free aluminum oxide barrier layer, has been obtain. An experimental testing of these structures confirmed the possibility of such layers to create a solar cell based on the elements of the InGaP/InGaAs/Ge structure for hybrid photoenergy system with cooling.
|
| issn |
2519-2485 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122612 |
| citation_txt |
Діелектричний теплопровідний контакт для теплообмінника фотоенергетичної установки / Р.В. Зайцев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 62-67. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT zaicevrv díelektričniiteploprovídniikontaktdlâteploobmínnikafotoenergetičnoíustanovki AT zaicevrv diélektričeskiiteploprovodâŝiikontaktdlâteploobmennikafotoénergetičeskoiustanovki AT zaicevrv dielectricthermalconductingcontactforheatexchangerofphotoenergysystem |
| first_indexed |
2025-12-07T20:13:35Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:13:35Z |
| _version_ |
1850881779004604416 |