Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN
Представлены результаты исследований характеристик датчика Холла предложенной конструкции на основе гетероструктуры AlGaN/GaN с различными геометрическими параметрами активной области, функционирующего в диапазоне температуры от –25 до 400°C. Исследования выполнены с использованием программных средс...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2017 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2017
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122667 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN / В.Р. Стемпицкий, Дао Динь Ха // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 1-2. — С. 28-32. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862714715672674304 |
|---|---|
| author | Стемпицкий, В.Р. Дао Динь Ха |
| author_facet | Стемпицкий, В.Р. Дао Динь Ха |
| citation_txt | Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN / В.Р. Стемпицкий, Дао Динь Ха // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 1-2. — С. 28-32. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Представлены результаты исследований характеристик датчика Холла предложенной конструкции на основе гетероструктуры AlGaN/GaN с различными геометрическими параметрами активной области, функционирующего в диапазоне температуры от –25 до 400°C. Исследования выполнены с использованием программных средств приборно-технологического моделирования. Активным слоем датчика является область двумерного электронного газа, которая формируется между барьерным слоем Al₀,₃Ga₀,₇N и нелегированным канальным слоем GaN. Полученные результаты (магнитная чувствительность по току 66,4 В/(А•Тл) при комнатной температуре, температурный коэффициент магнитной чувствительности 0,0273 %/°C) свидетельствуют о перспективности предлагаемого решения для практического использования.
Представлено результати досліджень характеристик датчика Холла запропонованої конструкції на основі гетероструктури AlGaN / GaN з різними геометричними параметрами активної області, який функціонує в діапазоні температури від —25 до 400°C. Дослідження виконано з використанням програмних засобів приборно-технологічного моделювання. Активним шаром датчика є область двовимірного електронного газу, яка формується між бар'єрним шаром Al₀,₃Ga₀,₇N і нелегованим канальним шаром GaN. Отримані результати (магнітна чутливість по струму 66,4 В/(А•Тл) при кімнатній температурі, температурний коефіцієнт магнітної чутливості 0,0273%/°C) свідчать про перспективність запропонованого рішення для практичного використання.
The paper presents research results on the characteristics of Hall sensor based on the AlGaN/GaN heterostructure with various geometric parameters of the active region operating in the temperature range from –25 to 400°C. The research was performed using device-technological simulation. The active layer of the proposed structure is a two-dimensional electron gas region, which is formed between the barrier layer Al₀,₃Ga₀,₇N and the undoped GaN channel layer. The results (room temperature current-related magnetic sensitivity 66.4 V/(A•T) and very low temperature cross sensitivity of 0,0273%/°C) indicate the prospects of the proposed solutions for the practical use.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:52:53Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122667 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:52:53Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Стемпицкий, В.Р. Дао Динь Ха 2017-07-16T17:57:39Z 2017-07-16T17:57:39Z 2017 Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN / В.Р. Стемпицкий, Дао Динь Ха // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 1-2. — С. 28-32. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2017.1-2.28 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122667 621.382 Представлены результаты исследований характеристик датчика Холла предложенной конструкции на основе гетероструктуры AlGaN/GaN с различными геометрическими параметрами активной области, функционирующего в диапазоне температуры от –25 до 400°C. Исследования выполнены с использованием программных средств приборно-технологического моделирования. Активным слоем датчика является область двумерного электронного газа, которая формируется между барьерным слоем Al₀,₃Ga₀,₇N и нелегированным канальным слоем GaN. Полученные результаты (магнитная чувствительность по току 66,4 В/(А•Тл) при комнатной температуре, температурный коэффициент магнитной чувствительности 0,0273 %/°C) свидетельствуют о перспективности предлагаемого решения для практического использования. Представлено результати досліджень характеристик датчика Холла запропонованої конструкції на основі гетероструктури AlGaN / GaN з різними геометричними параметрами активної області, який функціонує в діапазоні температури від —25 до 400°C. Дослідження виконано з використанням програмних засобів приборно-технологічного моделювання. Активним шаром датчика є область двовимірного електронного газу, яка формується між бар'єрним шаром Al₀,₃Ga₀,₇N і нелегованим канальним шаром GaN. Отримані результати (магнітна чутливість по струму 66,4 В/(А•Тл) при кімнатній температурі, температурний коефіцієнт магнітної чутливості 0,0273%/°C) свідчать про перспективність запропонованого рішення для практичного використання. The paper presents research results on the characteristics of Hall sensor based on the AlGaN/GaN heterostructure with various geometric parameters of the active region operating in the temperature range from –25 to 400°C. The research was performed using device-technological simulation. The active layer of the proposed structure is a two-dimensional electron gas region, which is formed between the barrier layer Al₀,₃Ga₀,₇N and the undoped GaN channel layer. The results (room temperature current-related magnetic sensitivity 66.4 V/(A•T) and very low temperature cross sensitivity of 0,0273%/°C) indicate the prospects of the proposed solutions for the practical use. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Сенсоэлектроника Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN Дослідження електричних і магнітних характеристик високотемпературних датчиків холла на основі гетероструктур AlGaN/GaN Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature Hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN Стемпицкий, В.Р. Дао Динь Ха Сенсоэлектроника |
| title | Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN |
| title_alt | Дослідження електричних і магнітних характеристик високотемпературних датчиків холла на основі гетероструктур AlGaN/GaN Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature Hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure |
| title_full | Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN |
| title_fullStr | Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN |
| title_full_unstemmed | Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN |
| title_short | Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN |
| title_sort | исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков холла на основе гетеро-структуры algan/gan |
| topic | Сенсоэлектроника |
| topic_facet | Сенсоэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122667 |
| work_keys_str_mv | AT stempickiivr issledovanieélektričeskihimagnitnyhharakteristikvysokotemperaturnyhdatčikovhollanaosnovegeterostrukturyalgangan AT daodinʹha issledovanieélektričeskihimagnitnyhharakteristikvysokotemperaturnyhdatčikovhollanaosnovegeterostrukturyalgangan AT stempickiivr doslídžennâelektričnihímagnítnihharakteristikvisokotemperaturnihdatčikívhollanaosnovígeterostrukturalgangan AT daodinʹha doslídžennâelektričnihímagnítnihharakteristikvisokotemperaturnihdatčikívhollanaosnovígeterostrukturalgangan AT stempickiivr investigationofelectricandmagneticcharacteristicsofhightemperaturehallsensorbasedonalganganheterostructure AT daodinʹha investigationofelectricandmagneticcharacteristicsofhightemperaturehallsensorbasedonalganganheterostructure |