ПЗС-фотоматрицы с электронным умножением
Описаны принципы работы фотоматриц видимого излучения и ближнего инфракрасного диапазона, спроектированных на основе приборов с зарядовой связью с электронным умножением (ПЗС-ЭУ), и обсуждена архитектура построения таких матриц. Приведено краткое описание технологии изготовления фотоматриц ПЗС-ЭУ, а...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2017 |
| Hauptverfasser: | Рева, В.П., Коринец, С.В., Голенков, А.Г., Сапон, С.В., Торчинский, А.М., Забудский, В.В., Сизов, Ф.Ф. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2017
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122668 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | ПЗС-фотоматрицы с электронным умножением / В.П. Рева, С.В. Коринец, А.Г. Голенков, С.В. Сапон, А.М. Торчинский, В.В. Забудский, Ф.Ф. Сизов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 1-2. — С. 33-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Чувствительность матриц ПЗС с электронным умножением
von: Сизов, Ф.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012) -
Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
von: Ленков, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Краснов, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)