Проблемы интеграции структур гетероэлектроники с кремниевыми ИС
Представлены результаты многолетних исследований авторов по применению газофазной, молекулярно-лучевой и комбинированной эпитаксии из газового источника. The results of the authors long-standing researchs by the application of gas-phase, molecular-beam and mixed epitaxy from gas source....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 1999 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122680 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Проблемы интеграции структур гетероэлектроники с кремниевыми ИС / В.И. Осинский, П.Ф. Олексенко, А.В. Палагин, В.В. Зубарев, В.В. Луговский, В.М. Бондаренко, Ю.Е. Николаенко, В.Г. Вербицкий, А.А. Воронько, С.В. Бобженко, А.А. Мержвинский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 1. — С. 3-17. — Бібліогр.: 71 назв. — рос. |