Проблемы интеграции структур гетероэлектроники с кремниевыми ИС

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 1999
• Hauptverfasser: Осинский, В.И., Олексенко, П.Ф., Палагин, А.В., Зубарев, В.В., Луговский, В.В., Бондаренко, В.М., Николаенко, Ю.Е., Вербицкий, В.Г., Воронько, А.А., Бобженко, С.В., Мержвинский, А.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
• Schlagworte: Техническая политика
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122680
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Проблемы интеграции структур гетероэлектроники с кремниевыми ИС / В.И. Осинский, П.Ф. Олексенко, А.В. Палагин, В.В. Зубарев, В.В. Луговский, В.М. Бондаренко, Ю.Е. Николаенко, В.Г. Вербицкий, А.А. Воронько, С.В. Бобженко, А.А. Мержвинский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 1. — С. 3-17. — Бібліогр.: 71 назв. — рос.

Представлены результаты многолетних исследований авторов по применению газофазной, молекулярно-лучевой и комбинированной эпитаксии из газового источника. The results of the authors long-standing researchs by the application of gas-phase, molecular-beam and mixed epitaxy from gas source....