Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС
На основе H-MOS-технологии разработаны новые методы контроля малых доз ионного легирования в системной технологии микроэлектроники. Based on H-MOS technology the process control inspection new methods of dosage concentration of doping in system technology of microelectronics have been developed....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 1999 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122697 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС / С.П. Новосядлый, Я.С. Буджак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 2-3. — С. 20-23. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | На основе H-MOS-технологии разработаны новые методы контроля малых доз ионного легирования в системной технологии микроэлектроники.
Based on H-MOS technology the process control inspection new methods of dosage concentration of doping in system technology of microelectronics have been developed.
|
|---|---|
| ISSN: | 2225-5818 |