Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС

На основе H-MOS-технологии разработаны новые методы контроля малых доз ионного легирования в системной технологии микроэлектроники. Based on H-MOS technology the process control inspection new methods of dosage concentration of doping in system technology of microelectronics have been developed....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:1999
Автори: Новосядлый, С.П., Буджак, Я.С.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122697
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС / С.П. Новосядлый, Я.С. Буджак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 2-3. — С. 20-23. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862593691543142400
author Новосядлый, С.П.
Буджак, Я.С.
author_facet Новосядлый, С.П.
Буджак, Я.С.
citation_txt Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС / С.П. Новосядлый, Я.С. Буджак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 2-3. — С. 20-23. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description На основе H-MOS-технологии разработаны новые методы контроля малых доз ионного легирования в системной технологии микроэлектроники. Based on H-MOS technology the process control inspection new methods of dosage concentration of doping in system technology of microelectronics have been developed.
first_indexed 2025-11-27T10:26:15Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122697
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-11-27T10:26:15Z
publishDate 1999
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Новосядлый, С.П.
Буджак, Я.С.
2017-07-17T18:25:00Z
2017-07-17T18:25:00Z
1999
Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС / С.П. Новосядлый, Я.С. Буджак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 2-3. — С. 20-23. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122697
На основе H-MOS-технологии разработаны новые методы контроля малых доз ионного легирования в системной технологии микроэлектроники.
Based on H-MOS technology the process control inspection new methods of dosage concentration of doping in system technology of microelectronics have been developed.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Технологические процессы
Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС
Юстировка порогової напруги у технологiї виготовлення ВIС
The adjustment of threshold powers in LSIC technology
Article
published earlier
spellingShingle Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС
Новосядлый, С.П.
Буджак, Я.С.
Технологические процессы
title Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС
title_alt Юстировка порогової напруги у технологiї виготовлення ВIС
The adjustment of threshold powers in LSIC technology
title_full Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС
title_fullStr Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС
title_full_unstemmed Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС
title_short Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС
title_sort юстировка пороговых напряжений в технологии бис
topic Технологические процессы
topic_facet Технологические процессы
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122697
work_keys_str_mv AT novosâdlyisp ûstirovkaporogovyhnaprâženiivtehnologiibis
AT budžakâs ûstirovkaporogovyhnaprâženiivtehnologiibis
AT novosâdlyisp ûstirovkaporogovoínaprugiutehnologiívigotovlennâvis
AT budžakâs ûstirovkaporogovoínaprugiutehnologiívigotovlennâvis
AT novosâdlyisp theadjustmentofthresholdpowersinlsictechnology
AT budžakâs theadjustmentofthresholdpowersinlsictechnology