Buchumschlag

Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС

На основе H-MOS-технологии разработаны новые методы контроля малых доз ионного легирования в системной технологии микроэлектроники. Based on H-MOS technology the process control inspection new methods of dosage concentration of doping in system technology of microelectronics have been developed....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	1999
Hauptverfasser:	Новосядлый, С.П., Буджак, Я.С.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Schlagworte:	Технологические процессы
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122697
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС / С.П. Новосядлый, Я.С. Буджак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 2-3. — С. 20-23. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние легирующих добавок на теплостойкость и теплопередачу никелевых покрытий корпусов ИС
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Геттерирование примесей и дефектов в системной технологии микроэлектроники БИС
von: Новосядлый, С.П.
Veröffentlicht: (1998)

Технологии изготовления фотонных кристаллов
von: Березянский, Б.М.
Veröffentlicht: (2007)

Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
von: Лесюк, Р.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Средства управления промышленным оборудованием
von: Коваль, В.Я.
Veröffentlicht: (1999)

Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники
von: Одиноков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС
von: Новосядлый, С.П.
Veröffentlicht: (2002)

Устройство для поляризации пьезоэлементов во время пайки составных пьезокерамических преобразователей
von: Гонтовой, С.В.
Veröffentlicht: (1998)

Математическое моделирование процесса индукционного нагрева составных пьезокерамических преобразователей
von: Гонтовой, С.В.
Veröffentlicht: (1998)

Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Получение высокоомных тонкопленочных конденсатов методом ионно-плазменного распыления
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Высокотемпературные стабильные растворы химического меднения и травления в производстве печатных плат
von: Гилене, О.
Veröffentlicht: (1998)

Моделирование технологии изготовления субмикронных КМОП СБИС с помощью систем TCAD
von: Глушко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Сухой пленочный фоторезист как изоляционное покрытие алюминиевых подложек
von: Короткевич, А.В., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Термозвуковая разварка межсоединений золотой проволокой на медных рамках
von: Емельянов, В.А., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Модернизация генератора изображений ЭМ-559 БМ
von: Лопаткин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Усовершенствованный метод выявления «горячих точек» в изделиях микроэлектроники
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование линейной корреляционной связи в парных выборках малого объема
von: Попукайло, В.С.
Veröffentlicht: (2016)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Моделирование технологии изготовления субмикронных КМОП СБИС с помощью систем TCAD
von: Glushko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
von: Будзуляк, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Технология изготовления контактов к карбиду кремния
von: Кудрик, Я.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Приборное обеспечение измерения параметров ультразвуковых воздействий в технологических процессах
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
von: Турцевич, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Измерительно-вычислительный комплекс СМ-100 для характеризации жидкокристаллических дисплеев
von: Сорокин, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Испаритель для термического напыления материалов в вакууме
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Установка для регенерации сорбентов в электромагнитном поле
von: Головко, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Ультразвуковая очистка оптико-механических систем
von: Томаль, В.С.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Высокочувствительная установка для оценки изменения показателя преломления водных растворов
von: Подкамень, Л.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Закономерности формирования пучка ионов низкой энергии при помощи односеточной ионно-оптической системы
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)