Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрические потери
Предложен метод расчета диэлектрических потерь в компонентах по величине измеренных потерь в стеклокерамике различного состава. The dielectric losses calculation method in components to magnitude of measured losses in diferent composition glass ceramic has been proposed....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 1999 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122702 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрические потери / М.В. Дмитриев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 2-3. — С. 44-48. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрическая проницаемость
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)
Влияние концентрации компонентов и пор на диэлектрические потери в стеклокерамике
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
Физико-химические и акустооптические свойства монокристаллов типа Cs₂HgC₄
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
за авторством: Шутов, С.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Шутов, С.В.
Опубліковано: (1999)
Тенденции в материаловедении как перспектива появления новых электронных компонентов
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1999)
Акустооптические кристаллы типа Cs₂HgC₄
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)
Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2000)
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
за авторством: Губа, С.К.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Губа, С.К.
Опубліковано: (1998)
Механизмы управляемого структурообразования поверхностей слоев Pd-Ag при облучении α-частицами
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1998)
Непаяные контактные соединения в электронных печатных узлах
за авторством: Yefimenko, А. А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Yefimenko, А. А., та інші
Опубліковано: (2009)
Деструкция полимерных связующих в поле адсорбционного взаимодействия с поверхностью наполнителя
за авторством: Пащенко, Е.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Пащенко, Е.А., та інші
Опубліковано: (2013)
Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2001)
О химической связи и распределении гелия в ГПУ бериллии
за авторством: Бакай, А.С., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Бакай, А.С., та інші
Опубліковано: (2011)
Исследование и оптимизация бокового катода для магнетронов с холодным вторично-эмиссионным катодом
за авторством: Автомонов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Автомонов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Осцилляции перегибов на дислокационных линиях в кристаллах и низкотемпературные транспортные аномалии как «паспорт» свежевведенных дефектов
за авторством: Межов-Деглин, Л.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Межов-Деглин, Л.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Влияние диссипации энергии в приповерхностных слоях изоляции жил на диэлектрические потери в кабелях
за авторством: Беспрозванных, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Беспрозванных, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Применение бессвинцового стекла в толстопленочных терморезистивных материалах
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2007)
Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла
за авторством: Кавецкий, Т.С., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Кавецкий, Т.С., та інші
Опубліковано: (2008)
Спонтанная спиновая поляризация систем примесных гибридизированных состояний электронов в полосе проводимости кристаллов
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)
Отрицательные ионы на границе раздела растворов жидкого гелия
за авторством: Дюгаев, А.М., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Дюгаев, А.М., та інші
Опубліковано: (2011)
Rosensweig instability in ferrofluids
за авторством: Kats, E.I.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kats, E.I.
Опубліковано: (2011)
Становление и развитие квантовой радиофизики и квантовой электроники СВЧ диапазона в Украине
за авторством: Еру, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Еру, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)
Малошумящие субмиллиметровые системы когерентного приема (cовременное состояние и тенденции развития)
за авторством: Еру, И.И.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Еру, И.И.
Опубліковано: (2006)
Структура полимерных композитов на основе диоксида ванадия и их диэлектрические свойства в диапазоне радиочастот
за авторством: Колбунов, В.Р., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Колбунов, В.Р., та інші
Опубліковано: (2015)
Взаимодействие силоксановых связующих инструментальных композитов с поверхностями КНБ и алюмосиликатного слоистого наполнителя
за авторством: Черненко, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Черненко, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
Твердотельные источники гетеродинного излучения субмиллиметрового диапазона
за авторством: Еру, И.И.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Еру, И.И.
Опубліковано: (2010)
Опыт создания баз данных краеведческого характера
за авторством: Ядров, А.Ю.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ядров, А.Ю.
Опубліковано: (2007)
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2006)
Сверхмалошумящие криогенно охлаждаемые усилители на псевдоморфных гетероструктурных полевых транзисторах
за авторством: Королев, А.М., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Королев, А.М., та інші
Опубліковано: (2007)
Диэлектрические окна с плосковершинной характеристикой радиопрозрачности
за авторством: Щербак, В.В.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Щербак, В.В.
Опубліковано: (2013)
Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Міжнародний маркетинг у сфері торгівлі інтелектуальним продуктом
за авторством: Білорус, О., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Білорус, О., та інші
Опубліковано: (2002)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
за авторством: Орлов, В.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Орлов, В.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
Лексикографические аспекты политической лингвистики: традиции и перспективы
за авторством: Бантышева, Л.Л.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Бантышева, Л.Л.
Опубліковано: (2006)