Контактные системы на основе тугоплавких металлов в диодах миллиметрового диапазона

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 1999
• Hauptverfasser: Болтовец, Н.С., Басанец, В.В., Иванов, В.Н., Кривуца, В.А., Фесуненко, В.А., Цвир, А.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
• Schlagworte: Компоненты для электронной аппаратуры
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122723
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Контактные системы на основе тугоплавких металлов в диодах миллиметрового диапазона / Н.С. Болтовец, В.В. Басанец, В.Н. Иванов, В.А. Кривуца, В.А. Фесуненко, А.В. Цвир // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Применена металлизация на основе силицидов, нитридов и боридов тугоплавких металлов при разработке генераторных и переключательных диодов. The metallization on silicides, nitrides and borides base of refractory metals during development generator and switching diodes has been used.