Buchumschlag

Акустооптические кристаллы типа Cs₂HgC₄

Разработаны технологический процесс и оборудование для получения новых акустооптических монокристаллов типа Сs₂HgC₄, где C — Cl, Вr, J. The process and equipment for production Cs₂HgC₄ type new acoustooptic single crystals, where C — Cl, Вr, J, have been developed....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	1999
1. Verfasser:	Данилов, В.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Schlagworte:	Материалы для электронных компонентов
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122724
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Акустооптические кристаллы типа Cs₂HgC₄ / В.В. Данилов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 4. — С. 39-43. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Физико-химические и акустооптические свойства монокристаллов типа Cs₂HgC₄
von: Данилов, В.В.
Veröffentlicht: (1999)

Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрическая проницаемость
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1999)

Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
von: Шутов, С.В.
Veröffentlicht: (1999)

Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрические потери
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1999)

Тенденции в материаловедении как перспектива появления новых электронных компонентов
von: Костенко, С.П.
Veröffentlicht: (1999)

Влияние концентрации компонентов и пор на диэлектрические потери в стеклокерамике
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1998)

Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1998)

Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
von: Губа, С.К.
Veröffentlicht: (1998)

Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2000)

Механизмы управляемого структурообразования поверхностей слоев Pd-Ag при облучении α-частицами
von: Костенко, С.П.
Veröffentlicht: (1998)

Непаяные контактные соединения в электронных печатных узлах
von: Yefimenko, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Фоторефрактивные кристаллы в запоминающих устройствах оптоэлектронных процессоров корреляционного типа
von: Липинский, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Малошумящие субмиллиметровые системы когерентного приема (cовременное состояние и тенденции развития)
von: Еру, И.И.
Veröffentlicht: (2006)

Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2006)

Спонтанная спиновая поляризация систем примесных гибридизированных состояний электронов в полосе проводимости кристаллов
von: Окулов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Отрицательные ионы на границе раздела растворов жидкого гелия
von: Дюгаев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Осцилляции перегибов на дислокационных линиях в кристаллах и низкотемпературные транспортные аномалии как «паспорт» свежевведенных дефектов
von: Межов-Деглин, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

О химической связи и распределении гелия в ГПУ бериллии
von: Бакай, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Rosensweig instability in ferrofluids
von: Kats, E.I.
Veröffentlicht: (2011)

Интегральные акустооптические перестраиваемые фильтры для оптоволоконных линий передачи со спектральным уплотнением
von: Липинский, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Становление и развитие квантовой радиофизики и квантовой электроники СВЧ диапазона в Украине
von: Еру, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Сверхмалошумящие криогенно охлаждаемые усилители на псевдоморфных гетероструктурных полевых транзисторах
von: Королев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование и оптимизация бокового катода для магнетронов с холодным вторично-эмиссионным катодом
von: Автомонов, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Криоконсервированная сыворотка плацентарной крови человека и ее биологичеcкая активность при экспериментальном атеросклерозе у кроликов
von: Фалько, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Твердотельные источники гетеродинного излучения субмиллиметрового диапазона
von: Еру, И.И.
Veröffentlicht: (2010)

Опыт создания баз данных краеведческого характера
von: Ядров, А.Ю.
Veröffentlicht: (2007)

Фоторефрактивные кристаллы в запоминающих устройствах оптоэлектронных процессоров корреляционного типа
von: Lipinskii, A. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Акустооптические модуляторы для систем спектрального анализа радиосигналов
von: Брайко, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Оценка пригодности сварочной проволоки типа Св-10ГН1МА производства фирмы ЭСАБ для изготовления оборудования АЭС
von: Лившиц, И.М.
Veröffentlicht: (2014)

Исследование химического состава и структуры металла швов типа Х20Н9Г2Б, полученных при мокрой подводной сварке
von: Ющенко, К А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
von: Цибрий, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
von: Орлов, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2001)

Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
von: Абызов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)