Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрическая проницаемость
Рассчитана диэлектрическая проницаемость компонентов по величине измеренной диэлектрической проницаемости стеклокерамики различного состава. The components dielectric permittivity in magnitude of measured dielectric permittivity of different composition glass ceramics has been calculated....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 1999 |
| Автор: | Дмитриев, М.В. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122725 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрическая проницаемость / М.В. Дмитриев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 4. — С. 44-46. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрические потери
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)
Физико-химические и акустооптические свойства монокристаллов типа Cs₂HgC₄
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)
Тенденции в материаловедении как перспектива появления новых электронных компонентов
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1999)
Акустооптические кристаллы типа Cs₂HgC₄
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
за авторством: Шутов, С.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Шутов, С.В.
Опубліковано: (1999)
Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
Влияние концентрации компонентов и пор на диэлектрические потери в стеклокерамике
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2000)
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
за авторством: Губа, С.К.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Губа, С.К.
Опубліковано: (1998)
Механизмы управляемого структурообразования поверхностей слоев Pd-Ag при облучении α-частицами
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1998)
Диэлектрическая проницаемость эякулятов человека при нормо- и патоспермии после взаимодействия с криозащитной средой
за авторством: Родионова, В.Л., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Родионова, В.Л., та інші
Опубліковано: (2004)
СВЧ диэлектрическая проницаемость дисперсных влагосодержащих сред
за авторством: Хаммуд, Ф.М., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Хаммуд, Ф.М., та інші
Опубліковано: (2005)
Непаяные контактные соединения в электронных печатных узлах
за авторством: Yefimenko, А. А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Yefimenko, А. А., та інші
Опубліковано: (2009)
Эффективная диэлектрическая проницаемость матричных дисперсных систем со сферическими металлическими включениями
за авторством: Гречко, Л.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Гречко, Л.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
Диэлектрическая релаксация Коул-Коула
за авторством: Новиков, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Новиков, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)
Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (2000)
Деструкция полимерных связующих в поле адсорбционного взаимодействия с поверхностью наполнителя
за авторством: Пащенко, Е.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Пащенко, Е.А., та інші
Опубліковано: (2013)
Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2001)
Теплофизические свойства криопротекторов. VIII. Диэлектрическая проницаемость ряда криопротекторов, их водных растворов и смесей
за авторством: Тодрин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Тодрин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2015)
О химической связи и распределении гелия в ГПУ бериллии
за авторством: Бакай, А.С., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Бакай, А.С., та інші
Опубліковано: (2011)
Применение бессвинцового стекла в толстопленочных терморезистивных материалах
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2007)
Осцилляции перегибов на дислокационных линиях в кристаллах и низкотемпературные транспортные аномалии как «паспорт» свежевведенных дефектов
за авторством: Межов-Деглин, Л.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Межов-Деглин, Л.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла
за авторством: Кавецкий, Т.С., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Кавецкий, Т.С., та інші
Опубліковано: (2008)
Исследование и оптимизация бокового катода для магнетронов с холодным вторично-эмиссионным катодом
за авторством: Автомонов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Автомонов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Rosensweig instability in ferrofluids
за авторством: Kats, E.I.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kats, E.I.
Опубліковано: (2011)
Спонтанная спиновая поляризация систем примесных гибридизированных состояний электронов в полосе проводимости кристаллов
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)
Отрицательные ионы на границе раздела растворов жидкого гелия
за авторством: Дюгаев, А.М., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Дюгаев, А.М., та інші
Опубліковано: (2011)
Становление и развитие квантовой радиофизики и квантовой электроники СВЧ диапазона в Украине
за авторством: Еру, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Еру, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)
Взаимодействие силоксановых связующих инструментальных композитов с поверхностями КНБ и алюмосиликатного слоистого наполнителя
за авторством: Черненко, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Черненко, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
Малошумящие субмиллиметровые системы когерентного приема (cовременное состояние и тенденции развития)
за авторством: Еру, И.И.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Еру, И.И.
Опубліковано: (2006)
Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2006)
Сверхмалошумящие криогенно охлаждаемые усилители на псевдоморфных гетероструктурных полевых транзисторах
за авторством: Королев, А.М., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Королев, А.М., та інші
Опубліковано: (2007)
Твердотельные источники гетеродинного излучения субмиллиметрового диапазона
за авторством: Еру, И.И.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Еру, И.И.
Опубліковано: (2010)
Опыт создания баз данных краеведческого характера
за авторством: Ядров, А.Ю.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ядров, А.Ю.
Опубліковано: (2007)
Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
за авторством: Орлов, В.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Орлов, В.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
Схожі ресурси
-
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрические потери
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999) -
Физико-химические и акустооптические свойства монокристаллов типа Cs₂HgC₄
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999) -
Тенденции в материаловедении как перспектива появления новых электронных компонентов
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1999) -
Акустооптические кристаллы типа Cs₂HgC₄
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999) -
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
за авторством: Шутов, С.В.
Опубліковано: (1999)