Buchumschlag

Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрическая проницаемость

Рассчитана диэлектрическая проницаемость компонентов по величине измеренной диэлектрической проницаемости стеклокерамики различного состава. The components dielectric permittivity in magnitude of measured dielectric permittivity of different composition glass ceramics has been calculated....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	1999
1. Verfasser:	Дмитриев, М.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Schlagworte:	Материалы для электронных компонентов
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122725
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрическая проницаемость / М.В. Дмитриев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 4. — С. 44-46. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрические потери
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1999)

Физико-химические и акустооптические свойства монокристаллов типа Cs₂HgC₄
von: Данилов, В.В.
Veröffentlicht: (1999)

Тенденции в материаловедении как перспектива появления новых электронных компонентов
von: Костенко, С.П.
Veröffentlicht: (1999)

Акустооптические кристаллы типа Cs₂HgC₄
von: Данилов, В.В.
Veröffentlicht: (1999)

Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
von: Шутов, С.В.
Veröffentlicht: (1999)

Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1998)

Влияние концентрации компонентов и пор на диэлектрические потери в стеклокерамике
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1998)

Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2000)

Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
von: Губа, С.К.
Veröffentlicht: (1998)

Механизмы управляемого структурообразования поверхностей слоев Pd-Ag при облучении α-частицами
von: Костенко, С.П.
Veröffentlicht: (1998)

Диэлектрическая проницаемость эякулятов человека при нормо- и патоспермии после взаимодействия с криозащитной средой
von: Родионова, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2004)

СВЧ диэлектрическая проницаемость дисперсных влагосодержащих сред
von: Хаммуд, Ф.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Непаяные контактные соединения в электронных печатных узлах
von: Yefimenko, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Эффективная диэлектрическая проницаемость матричных дисперсных систем со сферическими металлическими включениями
von: Гречко, Л.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Диэлектрическая релаксация Коул-Коула
von: Новиков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Статическая диэлектрическая проницаемость в бесщелевых твердых растворах Hg₁₋xCdxTe
von: Прозоровский, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Деструкция полимерных связующих в поле адсорбционного взаимодействия с поверхностью наполнителя
von: Пащенко, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2001)

Теплофизические свойства криопротекторов. VIII. Диэлектрическая проницаемость ряда криопротекторов, их водных растворов и смесей
von: Тодрин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2015)

О химической связи и распределении гелия в ГПУ бериллии
von: Бакай, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Применение бессвинцового стекла в толстопленочных терморезистивных материалах
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Осцилляции перегибов на дислокационных линиях в кристаллах и низкотемпературные транспортные аномалии как «паспорт» свежевведенных дефектов
von: Межов-Деглин, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла
von: Кавецкий, Т.С., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование и оптимизация бокового катода для магнетронов с холодным вторично-эмиссионным катодом
von: Автомонов, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Rosensweig instability in ferrofluids
von: Kats, E.I.
Veröffentlicht: (2011)

Спонтанная спиновая поляризация систем примесных гибридизированных состояний электронов в полосе проводимости кристаллов
von: Окулов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Отрицательные ионы на границе раздела растворов жидкого гелия
von: Дюгаев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Становление и развитие квантовой радиофизики и квантовой электроники СВЧ диапазона в Украине
von: Еру, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Взаимодействие силоксановых связующих инструментальных композитов с поверхностями КНБ и алюмосиликатного слоистого наполнителя
von: Черненко, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Малошумящие субмиллиметровые системы когерентного приема (cовременное состояние и тенденции развития)
von: Еру, И.И.
Veröffentlicht: (2006)

Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2006)

Сверхмалошумящие криогенно охлаждаемые усилители на псевдоморфных гетероструктурных полевых транзисторах
von: Королев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Твердотельные источники гетеродинного излучения субмиллиметрового диапазона
von: Еру, И.И.
Veröffentlicht: (2010)

Опыт создания баз данных краеведческого характера
von: Ядров, А.Ю.
Veröffentlicht: (2007)

Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
von: Орлов, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)