Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
Метод и оборудование для его реализации позволяют проводить контроль полупроводниковой пластины и отдельных ее участков. The method and equipment for its realization allow to carry out control of semiconductor wafer and individual its sites....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 1999 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122734 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 22-24. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Метод и оборудование для его реализации позволяют проводить контроль полупроводниковой пластины и отдельных ее участков.
The method and equipment for its realization allow to carry out control of semiconductor wafer and individual its sites.
|
|---|---|
| ISSN: | 2225-5818 |