Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин

Метод и оборудование для его реализации позволяют проводить контроль полупроводниковой пластины и отдельных ее участков. The method and equipment for its realization allow to carry out control of semiconductor wafer and individual its sites....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:1999
Автор: Добровольский, Ю.Г.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122734
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 22-24. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862734073704742912
author Добровольский, Ю.Г.
author_facet Добровольский, Ю.Г.
citation_txt Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 22-24. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Метод и оборудование для его реализации позволяют проводить контроль полупроводниковой пластины и отдельных ее участков. The method and equipment for its realization allow to carry out control of semiconductor wafer and individual its sites.
first_indexed 2025-12-07T19:41:12Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-122734
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-12-07T19:41:12Z
publishDate 1999
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Добровольский, Ю.Г.
2017-07-19T12:42:05Z
2017-07-19T12:42:05Z
1999
Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 22-24. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122734
Качество и надежность аппаратуры
Метод и оборудование для его реализации позволяют проводить контроль полупроводниковой пластины и отдельных ее участков.
The method and equipment for its realization allow to carry out control of semiconductor wafer and individual its sites.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
Використання ефекту Кірліан для контроля якості напівпровідникових пластин
The use of Kirlian effect for control of semiconductor wafer
Article
published earlier
spellingShingle Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
Добровольский, Ю.Г.
title Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
title_alt Використання ефекту Кірліан для контроля якості напівпровідникових пластин
The use of Kirlian effect for control of semiconductor wafer
title_full Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
title_fullStr Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
title_full_unstemmed Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
title_short Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
title_sort использование эффекта кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122734
work_keys_str_mv AT dobrovolʹskiiûg ispolʹzovanieéffektakirliandlâkontrolâkačestvapoluprovodnikovyhplastin
AT dobrovolʹskiiûg vikoristannâefektukírlíandlâkontrolââkostínapívprovídnikovihplastin
AT dobrovolʹskiiûg theuseofkirlianeffectforcontrolofsemiconductorwafer