Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
Метод и оборудование для его реализации позволяют проводить контроль полупроводниковой пластины и отдельных ее участков. The method and equipment for its realization allow to carry out control of semiconductor wafer and individual its sites....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 1999 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122734 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 22-24. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!