Моделирование динамического поведения инжекционного лазера при проектировании оптических систем связи
На основе системы уравнений, описывающей динамическое поведение полупроводникового инжекционного гетеролазера, проведено моделирование лазера и его анализ. On the basis of system of equations that describes dynamic behavior of semiconductor injection heterogeneous laser, the simulation of laser and...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 1999 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122741 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Моделирование динамического поведения инжекционного лазера при проектировании оптических систем связи / Д.В. Бондаренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 44-45. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |