Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal
Electronic band structure and defect formation energy of TlGaSe₂ are studied using density functional method within the Local Density Approximation. Электронная структура зон и энергия образования дефектов кристалла TlGaSe₂ изучались с использованием метода функционала плотности в приближении локаль...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Дата: | 2017 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2017
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125495 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal / N.A. Ismayilova, G. S. Orudzhev // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 5. — С. 657-664. — Бібліогр.: 22 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-125495 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Ismayilova, N.A. Orudzhev G.S. 2017-10-28T13:59:03Z 2017-10-28T13:59:03Z 2017 Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal / N.A. Ismayilova, G. S. Orudzhev // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 5. — С. 657-664. — Бібліогр.: 22 назв. — англ. 1024-1809 DOI: 10.15407/mfint.39.05.0657 PACS numbers: 61.72.jd, 71.15.Ap, 71.15.Mb, 71.15.Nc, 71.20.Nr, 74.62.Dh https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125495 Electronic band structure and defect formation energy of TlGaSe₂ are studied using density functional method within the Local Density Approximation. Электронная структура зон и энергия образования дефектов кристалла TlGaSe₂ изучались с использованием метода функционала плотности в приближении локальной плотности. Електронна структура зон та енергія утворення дефектів кристалу TlGaSe₂ вивчалися з використанням методи функціонала густини в наближенні локальної густини. en Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Электронные структура и свойства Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal Энергия образования вакансий для заряженного и нейтрального состояний кристалла TlGaSe₂ Енергія утворення вакансій для зарядженого та нейтрального станів кристалу TlGaSe₂ Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal |
| spellingShingle |
Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal Ismayilova, N.A. Orudzhev G.S. Электронные структура и свойства |
| title_short |
Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal |
| title_full |
Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal |
| title_fullStr |
Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal |
| title_full_unstemmed |
Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal |
| title_sort |
vacancy formation energy for the charged and neutral states of tlgase₂ crystal |
| author |
Ismayilova, N.A. Orudzhev G.S. |
| author_facet |
Ismayilova, N.A. Orudzhev G.S. |
| topic |
Электронные структура и свойства |
| topic_facet |
Электронные структура и свойства |
| publishDate |
2017 |
| language |
English |
| container_title |
Металлофизика и новейшие технологии |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Энергия образования вакансий для заряженного и нейтрального состояний кристалла TlGaSe₂ Енергія утворення вакансій для зарядженого та нейтрального станів кристалу TlGaSe₂ |
| description |
Electronic band structure and defect formation energy of TlGaSe₂ are studied using density functional method within the Local Density Approximation.
Электронная структура зон и энергия образования дефектов кристалла TlGaSe₂ изучались с использованием метода функционала плотности в приближении локальной плотности.
Електронна структура зон та енергія утворення дефектів кристалу TlGaSe₂ вивчалися з використанням методи функціонала густини в наближенні локальної густини.
|
| issn |
1024-1809 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125495 |
| citation_txt |
Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal / N.A. Ismayilova, G. S. Orudzhev // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 5. — С. 657-664. — Бібліогр.: 22 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT ismayilovana vacancyformationenergyforthechargedandneutralstatesoftlgase2crystal AT orudzhevgs vacancyformationenergyforthechargedandneutralstatesoftlgase2crystal AT ismayilovana énergiâobrazovaniâvakansiidlâzarâžennogoineitralʹnogosostoâniikristallatlgase2 AT orudzhevgs énergiâobrazovaniâvakansiidlâzarâžennogoineitralʹnogosostoâniikristallatlgase2 AT ismayilovana energíâutvorennâvakansíidlâzarâdženogotaneitralʹnogostanívkristalutlgase2 AT orudzhevgs energíâutvorennâvakansíidlâzarâdženogotaneitralʹnogostanívkristalutlgase2 |
| first_indexed |
2025-12-01T23:03:50Z |
| last_indexed |
2025-12-01T23:03:50Z |
| _version_ |
1850861116041723904 |