Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal
Electronic band structure and defect formation energy of TlGaSe₂ are studied using density functional method within the Local Density Approximation. Электронная структура зон и энергия образования дефектов кристалла TlGaSe₂ изучались с использованием метода функционала плотности в приближении локаль...
Saved in:
| Published in: | Металлофизика и новейшие технологии |
|---|---|
| Date: | 2017 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2017
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125495 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal / N.A. Ismayilova, G. S. Orudzhev // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 5. — С. 657-664. — Бібліогр.: 22 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862653333772173312 |
|---|---|
| author | Ismayilova, N.A. Orudzhev G.S. |
| author_facet | Ismayilova, N.A. Orudzhev G.S. |
| citation_txt | Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal / N.A. Ismayilova, G. S. Orudzhev // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 5. — С. 657-664. — Бібліогр.: 22 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Металлофизика и новейшие технологии |
| description | Electronic band structure and defect formation energy of TlGaSe₂ are studied using density functional method within the Local Density Approximation.
Электронная структура зон и энергия образования дефектов кристалла TlGaSe₂ изучались с использованием метода функционала плотности в приближении локальной плотности.
Електронна структура зон та енергія утворення дефектів кристалу TlGaSe₂ вивчалися з використанням методи функціонала густини в наближенні локальної густини.
|
| first_indexed | 2025-12-01T23:03:50Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-125495 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1024-1809 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-01T23:03:50Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ismayilova, N.A. Orudzhev G.S. 2017-10-28T13:59:03Z 2017-10-28T13:59:03Z 2017 Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal / N.A. Ismayilova, G. S. Orudzhev // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 5. — С. 657-664. — Бібліогр.: 22 назв. — англ. 1024-1809 DOI: 10.15407/mfint.39.05.0657 PACS numbers: 61.72.jd, 71.15.Ap, 71.15.Mb, 71.15.Nc, 71.20.Nr, 74.62.Dh https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125495 Electronic band structure and defect formation energy of TlGaSe₂ are studied using density functional method within the Local Density Approximation. Электронная структура зон и энергия образования дефектов кристалла TlGaSe₂ изучались с использованием метода функционала плотности в приближении локальной плотности. Електронна структура зон та енергія утворення дефектів кристалу TlGaSe₂ вивчалися з використанням методи функціонала густини в наближенні локальної густини. en Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Металлофизика и новейшие технологии Электронные структура и свойства Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal Энергия образования вакансий для заряженного и нейтрального состояний кристалла TlGaSe₂ Енергія утворення вакансій для зарядженого та нейтрального станів кристалу TlGaSe₂ Article published earlier |
| spellingShingle | Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal Ismayilova, N.A. Orudzhev G.S. Электронные структура и свойства |
| title | Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal |
| title_alt | Энергия образования вакансий для заряженного и нейтрального состояний кристалла TlGaSe₂ Енергія утворення вакансій для зарядженого та нейтрального станів кристалу TlGaSe₂ |
| title_full | Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal |
| title_fullStr | Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal |
| title_full_unstemmed | Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal |
| title_short | Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal |
| title_sort | vacancy formation energy for the charged and neutral states of tlgase₂ crystal |
| topic | Электронные структура и свойства |
| topic_facet | Электронные структура и свойства |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125495 |
| work_keys_str_mv | AT ismayilovana vacancyformationenergyforthechargedandneutralstatesoftlgase2crystal AT orudzhevgs vacancyformationenergyforthechargedandneutralstatesoftlgase2crystal AT ismayilovana énergiâobrazovaniâvakansiidlâzarâžennogoineitralʹnogosostoâniikristallatlgase2 AT orudzhevgs énergiâobrazovaniâvakansiidlâzarâžennogoineitralʹnogosostoâniikristallatlgase2 AT ismayilovana energíâutvorennâvakansíidlâzarâdženogotaneitralʹnogostanívkristalutlgase2 AT orudzhevgs energíâutvorennâvakansíidlâzarâdženogotaneitralʹnogostanívkristalutlgase2 |