Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal

• Published in: Металлофизика и новейшие технологии
• Date: 2017
• Main Authors: Ismayilova, N.A., Orudzhev G.S.
• Format: Article
• Language: English
• Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2017
• Subjects: Электронные структура и свойства
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125495
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal / N.A. Ismayilova, G. S. Orudzhev // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 5. — С. 657-664. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.

Electronic band structure and defect formation energy of TlGaSe₂ are studied using density functional method within the Local Density Approximation. Электронная структура зон и энергия образования дефектов кристалла TlGaSe₂ изучались с использованием метода функционала плотности в приближении локаль...