Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію

• Veröffentlicht in: Доповіді НАН України
• Datum: 2016
• ISSN: 1025-6415
• Hauptverfasser: Гайдар, Г.П., Баранський, П.І.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2016
• Schlagworte: Фізика
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125716
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2016. — № 7. — С. 62-69. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

У зразках Cz−Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве
 зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також
 встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні
 nSi ⟨Ge⟩ швидкими нейтронами реактора. В образцах Cz−Si n-типа, легированных изовалентной примесью германия, выявлено существенное снижение эффективности образования термодоноров в процессе термоотжигов, а также установлено повышение радиационной стойкости приблизительно на порядок при облучении n-Si ⟨Ge⟩ быстрыми нейтронами реактора. In n-type Cz−Si samples doped by the germanium isovalent impurity, a significant decrease in the
 efficiency of formation of thermodonors in the thermoannealing process is found, as well as an
 increase of the radiation hardness by order of magnitude under the irradiation of n-Si ⟨Ge⟩ by
 fast-pile neutrons is established.