Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
У зразках Cz−Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве
 зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також
 встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні
 nSi ⟨Ge⟩ швидкими нейтронами р...
Saved in:
| Published in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Date: | 2016 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2016
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125716 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2016. — № 7. — С. 62-69. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862642336361611264 |
|---|---|
| author | Гайдар, Г.П. Баранський, П.І. |
| author_facet | Гайдар, Г.П. Баранський, П.І. |
| citation_txt | Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2016. — № 7. — С. 62-69. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Доповіді НАН України |
| description | У зразках Cz−Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве
зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також
встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні
nSi ⟨Ge⟩ швидкими нейтронами реактора.
В образцах Cz−Si n-типа, легированных изовалентной примесью германия, выявлено существенное снижение эффективности образования термодоноров в процессе термоотжигов, а также установлено повышение радиационной стойкости приблизительно на порядок при облучении n-Si ⟨Ge⟩ быстрыми нейтронами реактора.
In n-type Cz−Si samples doped by the germanium isovalent impurity, a significant decrease in the
efficiency of formation of thermodonors in the thermoannealing process is found, as well as an
increase of the radiation hardness by order of magnitude under the irradiation of n-Si ⟨Ge⟩ by
fast-pile neutrons is established.
|
| first_indexed | 2025-12-01T05:14:03Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-125716 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1025-6415 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-01T05:14:03Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гайдар, Г.П. Баранський, П.І. 2017-11-02T13:22:20Z 2017-11-02T13:22:20Z 2016 Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2016. — № 7. — С. 62-69. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 1025-6415 DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2016.07.062 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125716 621.315.592 У зразках Cz−Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве
 зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також
 встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні
 nSi ⟨Ge⟩ швидкими нейтронами реактора. В образцах Cz−Si n-типа, легированных изовалентной примесью германия, выявлено существенное снижение эффективности образования термодоноров в процессе термоотжигов, а также установлено повышение радиационной стойкости приблизительно на порядок при облучении n-Si ⟨Ge⟩ быстрыми нейтронами реактора. In n-type Cz−Si samples doped by the germanium isovalent impurity, a significant decrease in the
 efficiency of formation of thermodonors in the thermoannealing process is found, as well as an
 increase of the radiation hardness by order of magnitude under the irradiation of n-Si ⟨Ge⟩ by
 fast-pile neutrons is established. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Фізика Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію Влияние изовалентной примеси Ge и термоотжигов на электрофизические свойства кристаллов кремния Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals Article published earlier |
| spellingShingle | Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію Гайдар, Г.П. Баранський, П.І. Фізика |
| title | Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію |
| title_alt | Влияние изовалентной примеси Ge и термоотжигов на электрофизические свойства кристаллов кремния Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals |
| title_full | Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію |
| title_fullStr | Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію |
| title_full_unstemmed | Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію |
| title_short | Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію |
| title_sort | вплив ізовалентної домішки ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію |
| topic | Фізика |
| topic_facet | Фізика |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125716 |
| work_keys_str_mv | AT gaidargp vplivízovalentnoídomíškigeítermovídpalívnaelektrofízičnívlastivostíkristalívkremníû AT baransʹkiipí vplivízovalentnoídomíškigeítermovídpalívnaelektrofízičnívlastivostíkristalívkremníû AT gaidargp vliânieizovalentnoiprimesigeitermootžigovnaélektrofizičeskiesvoistvakristallovkremniâ AT baransʹkiipí vliânieizovalentnoiprimesigeitermootžigovnaélektrofizičeskiesvoistvakristallovkremniâ AT gaidargp influenceofgeisovalentimpurityandthermoannealingsontheelectrophysicalpropertiesofsiliconcrystals AT baransʹkiipí influenceofgeisovalentimpurityandthermoannealingsontheelectrophysicalpropertiesofsiliconcrystals |