Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
У зразках Cz−Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні nSi ⟨Ge⟩ швидкими нейтронами реактора. В образцах Cz−S...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Datum: | 2016 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2016
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125716 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2016. — № 7. — С. 62-69. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-125716 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Гайдар, Г.П. Баранський, П.І. 2017-11-02T13:22:20Z 2017-11-02T13:22:20Z 2016 Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2016. — № 7. — С. 62-69. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 1025-6415 DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2016.07.062 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125716 621.315.592 У зразках Cz−Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні nSi ⟨Ge⟩ швидкими нейтронами реактора. В образцах Cz−Si n-типа, легированных изовалентной примесью германия, выявлено существенное снижение эффективности образования термодоноров в процессе термоотжигов, а также установлено повышение радиационной стойкости приблизительно на порядок при облучении n-Si ⟨Ge⟩ быстрыми нейтронами реактора. In n-type Cz−Si samples doped by the germanium isovalent impurity, a significant decrease in the efficiency of formation of thermodonors in the thermoannealing process is found, as well as an increase of the radiation hardness by order of magnitude under the irradiation of n-Si ⟨Ge⟩ by fast-pile neutrons is established. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Фізика Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію Влияние изовалентной примеси Ge и термоотжигов на электрофизические свойства кристаллов кремния Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію |
| spellingShingle |
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію Гайдар, Г.П. Баранський, П.І. Фізика |
| title_short |
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію |
| title_full |
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію |
| title_fullStr |
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію |
| title_full_unstemmed |
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію |
| title_sort |
вплив ізовалентної домішки ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію |
| author |
Гайдар, Г.П. Баранський, П.І. |
| author_facet |
Гайдар, Г.П. Баранський, П.І. |
| topic |
Фізика |
| topic_facet |
Фізика |
| publishDate |
2016 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Доповіді НАН України |
| publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Влияние изовалентной примеси Ge и термоотжигов на электрофизические свойства кристаллов кремния Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals |
| description |
У зразках Cz−Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве
зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також
встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні
nSi ⟨Ge⟩ швидкими нейтронами реактора.
В образцах Cz−Si n-типа, легированных изовалентной примесью германия, выявлено существенное снижение эффективности образования термодоноров в процессе термоотжигов, а также установлено повышение радиационной стойкости приблизительно на порядок при облучении n-Si ⟨Ge⟩ быстрыми нейтронами реактора.
In n-type Cz−Si samples doped by the germanium isovalent impurity, a significant decrease in the
efficiency of formation of thermodonors in the thermoannealing process is found, as well as an
increase of the radiation hardness by order of magnitude under the irradiation of n-Si ⟨Ge⟩ by
fast-pile neutrons is established.
|
| issn |
1025-6415 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125716 |
| citation_txt |
Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2016. — № 7. — С. 62-69. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT gaidargp vplivízovalentnoídomíškigeítermovídpalívnaelektrofízičnívlastivostíkristalívkremníû AT baransʹkiipí vplivízovalentnoídomíškigeítermovídpalívnaelektrofízičnívlastivostíkristalívkremníû AT gaidargp vliânieizovalentnoiprimesigeitermootžigovnaélektrofizičeskiesvoistvakristallovkremniâ AT baransʹkiipí vliânieizovalentnoiprimesigeitermootžigovnaélektrofizičeskiesvoistvakristallovkremniâ AT gaidargp influenceofgeisovalentimpurityandthermoannealingsontheelectrophysicalpropertiesofsiliconcrystals AT baransʹkiipí influenceofgeisovalentimpurityandthermoannealingsontheelectrophysicalpropertiesofsiliconcrystals |
| first_indexed |
2025-12-01T05:14:03Z |
| last_indexed |
2025-12-01T05:14:03Z |
| _version_ |
1850859404287541249 |