Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію

• Veröffentlicht in: Доповіді НАН України
• Datum: 2016
• Hauptverfasser: Гайдар, Г.П., Баранський, П.І.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2016
• Schlagworte: Фізика
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125716
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2016. — № 7. — С. 62-69. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

У зразках Cz−Si n-типу, легованих ізовалентною домішкою германію, виявлено суттєве зниження ефективності утворення термодонорів у процесі термовідпалів, а також встановлено підвищення радіаційної стійкості приблизно на порядок при опроміненні nSi ⟨Ge⟩ швидкими нейтронами реактора. В образцах Cz−S...