Межзонное поглощение света квазинульмерными наносистемами

Проведен обзор результатов теоретических и экспериментальных исследований по межзонному поглощению света полупроводниковыми сферическими нанокристаллами. Показано, что учет поляризационного взаимодействия электрона и дырки с поверхностью нанокристалла вызывает сдвиг порога поглощения в нанокристалле...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Успехи физики металлов
Datum:2007
Hauptverfasser: Шпак, А.П., Покутний, С.И., Уваров, В.Н.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2007
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125788
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Межзонное поглощение света квазинульмерными наносистемами / А.П. Шпак, С.И. Покутний, В.Н. Уваров // Успехи физики металлов. — 2007. — Т. 8, № 2. — С. 157-170. — Бібліогр.: 49 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Проведен обзор результатов теоретических и экспериментальных исследований по межзонному поглощению света полупроводниковыми сферическими нанокристаллами. Показано, что учет поляризационного взаимодействия электрона и дырки с поверхностью нанокристалла вызывает сдвиг порога поглощения в нанокристалле в коротковолновую сторону. Установлено, что край поглощения нанокристаллов формируется двумя сравнимыми по интенсивности переходами с разных уровней размерного квантования дырки на нижний уровень размерного квантования электрона. Виконано огляд результатів теоретичних та експериментальних досліджень з міжзонного вбирання світла напівпровідниковими сферичними нанокристалами. Показано, що врахування поляризаційної взаємодії електрона і дірки з поверхнею нанокристала спричиняє зсув порогу вбирання в нанокристалі в короткохвильовий бік. Встановлено, що край вбирання нанокристалів формується двома порівнянними за інтенсивністю переходами з ріжних рівнів розмірного квантування дірки на нижній рівень розмірного квантування електрона. The results of theoretical and experimental investigations of interband absorption of light in semiconductor spherical nanocrystals are analyzed. As shown, the absorption threshold in a nanocrystal is shifted to shorter wavelengths if the polarization-related interaction of electrons and holes with the nanocrystal surface is taken into account. As ascertained, the absorption edge for nanocrystals is formed by two transitions comparable in intensity. These transitions occur from different levels of size-related quantization for a hole to the lower level of size-related quantization for an electron.
ISSN:1608-1021