Кинетика образования и роста микродефектов в кристаллах

• Опубліковано в: : Успехи физики металлов
• Дата: 2006
• Автори: Олиховский, С.Й., Белова, М.М., Кочелаб, Е.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2006
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125801
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Кинетика образования и роста микродефектов в кристаллах / С.Й. Олиховский, М.М. Белова, Е.В. Кочелаб // Успехи физики металлов. — 2006. — Т. 7, № 3. — С. 135-171. — Бібліогр.: 81 назв. — рос.

В обзоре описаны основные результаты многочисленных прямых наблюдений образования микродефектов (преципитатов кислорода и дислокационных петель) в кристалле кремния при его выращивании и термообработках. Кратко изложены термодинамические представления об образовании частиц новой фазы в пересыщенном твердом растворе кислорода в кремнии. Представлены классические подходы к описанию кинетики преципитации кислорода. Описаны современные модели кинетики роста и распада преципитатов и дислокационных петель в кремнии. В обзорі наведено основні результати численних прямих спостережень утворення мікродефектів (преципітатів кисню та дисльокаційних петель) у кристалі кремнію при його вирощуванні та термообробках. Коротко подано термодинамічні уявлення про утворення частинок нової фази у перенасиченому твердому розчині кисню у кремнії. Представлено клясичні підходи до опису кінетики преципітації кисню. Описано сучасні моделі кінетики росту і розпаду преципітатів та дисльокаційних петель у кремнії. In the review, the main results of numerous direct observations of microdefects’ formation (oxygen precipitates and dislocation loops) in a silicon crystal during its growth and heat treatments are described. Thermodynamic conceptions concerning formation of new-phase particles in the supersaturated solid solution of oxygen in silicon are briefly presented. Classical approaches to the description of oxygen-precipitation kinetics are represented too. Modern models of kinetics of growth and decomposition of precipitates and dislocation loops in silicon are described.