Ковалентно-зонная модель конденсированного состояния

• Published in: Успехи физики металлов
• Date: 2005
• Main Author: Мицек, А.И.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2005
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125816
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Ковалентно-зонная модель конденсированного состояния / А.И. Мицек // Успехи физики металлов. — 2005. — Т. 6, № 3. — С. 233-272. — Бібліогр.: 33 назв. — рос.

Кулоновское взаимодействие пары электронов ri соседних ионов Rj в представлении сильной связи сводится либо к энергии ковалентной связи (Г), либо к интегралу перескока (t), которые вычисляются для двумерных систем типа фуллеренов (ФУЛ) и нанотрубок углерода (НТУ). Теория полупроводниковых (п/п) систем дает зависимость энергии связи Г(Т) от температуры Т, обусловленную флуктуациями химических (ковалентных) связей (ФХС). Кулонівська взаємодія пари електронів ri сусідніх йонів Rj в представленні сильного зв’язку зводиться або до енергії ковалентного зв’язку (Г), або ж до інтеґрала перескоку (t), які обчислюються для двовимірних систем типу фуллеренів (ФУЛ) і нанорурок вуглецю (НРВ). Теорія напівпровідникових (н/п) систем дає залежність енергії зв’язку Г(Т) від температури Т, зумовлену флюктуаціями хемічних (ковалентних) зв’язків (ФХЗ). The Coulomb interaction of electron pair in ri of neighbour ions at Rj within the tight-binding representation comes either to the covalent-bond energy (Г) or to the hopping integral (t) that is calculated for two-dimensional systems such as fullerenes (FUL) and carbon nanotubes (CNT). The theory of semiconductor (s/c) systems leads to the dependence of bond energy Г(T) on temperature T, which is caused by the chemical (covalent) bond fluctuations (CBF).