Ковалентно-зонная модель конденсированного состояния

Кулоновское взаимодействие пары электронов ri соседних ионов Rj в представлении сильной связи сводится либо к энергии ковалентной связи (Г), либо к интегралу перескока (t), которые вычисляются для двумерных систем типа фуллеренов (ФУЛ) и нанотрубок углерода (НТУ). Теория полупроводниковых (п/п) сист...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Успехи физики металлов
Date:2005
Main Author: Мицек, А.И.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2005
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125816
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Ковалентно-зонная модель конденсированного состояния / А.И. Мицек // Успехи физики металлов. — 2005. — Т. 6, № 3. — С. 233-272. — Бібліогр.: 33 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-125816
record_format dspace
spelling Мицек, А.И.
2017-11-04T19:08:48Z
2017-11-04T19:08:48Z
2005
Ковалентно-зонная модель конденсированного состояния / А.И. Мицек // Успехи физики металлов. — 2005. — Т. 6, № 3. — С. 233-272. — Бібліогр.: 33 назв. — рос.
1608-1021
PACS: 71.10.Fd, 75.10.-b, 75.20.Hr, 75.30.-m, 75.40.Cx, 75.75.+a, 77.80.Bh
DOI: https://doi.org/10.15407/ufm.06.03.233
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125816
Кулоновское взаимодействие пары электронов ri соседних ионов Rj в представлении сильной связи сводится либо к энергии ковалентной связи (Г), либо к интегралу перескока (t), которые вычисляются для двумерных систем типа фуллеренов (ФУЛ) и нанотрубок углерода (НТУ). Теория полупроводниковых (п/п) систем дает зависимость энергии связи Г(Т) от температуры Т, обусловленную флуктуациями химических (ковалентных) связей (ФХС).
Кулонівська взаємодія пари електронів ri сусідніх йонів Rj в представленні сильного зв’язку зводиться або до енергії ковалентного зв’язку (Г), або ж до інтеґрала перескоку (t), які обчислюються для двовимірних систем типу фуллеренів (ФУЛ) і нанорурок вуглецю (НРВ). Теорія напівпровідникових (н/п) систем дає залежність енергії зв’язку Г(Т) від температури Т, зумовлену флюктуаціями хемічних (ковалентних) зв’язків (ФХЗ).
The Coulomb interaction of electron pair in ri of neighbour ions at Rj within the tight-binding representation comes either to the covalent-bond energy (Г) or to the hopping integral (t) that is calculated for two-dimensional systems such as fullerenes (FUL) and carbon nanotubes (CNT). The theory of semiconductor (s/c) systems leads to the dependence of bond energy Г(T) on temperature T, which is caused by the chemical (covalent) bond fluctuations (CBF).
Работа поддержана проектами №№ 31/04-Н и 29/05-Н НАН Украины.
ru
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Успехи физики металлов
Ковалентно-зонная модель конденсированного состояния
Ковалентно-зонна модель конденсованого стану
Covalent-Band Model of the Condensed Matter
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Ковалентно-зонная модель конденсированного состояния
spellingShingle Ковалентно-зонная модель конденсированного состояния
Мицек, А.И.
title_short Ковалентно-зонная модель конденсированного состояния
title_full Ковалентно-зонная модель конденсированного состояния
title_fullStr Ковалентно-зонная модель конденсированного состояния
title_full_unstemmed Ковалентно-зонная модель конденсированного состояния
title_sort ковалентно-зонная модель конденсированного состояния
author Мицек, А.И.
author_facet Мицек, А.И.
publishDate 2005
language Russian
container_title Успехи физики металлов
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
format Article
title_alt Ковалентно-зонна модель конденсованого стану
Covalent-Band Model of the Condensed Matter
description Кулоновское взаимодействие пары электронов ri соседних ионов Rj в представлении сильной связи сводится либо к энергии ковалентной связи (Г), либо к интегралу перескока (t), которые вычисляются для двумерных систем типа фуллеренов (ФУЛ) и нанотрубок углерода (НТУ). Теория полупроводниковых (п/п) систем дает зависимость энергии связи Г(Т) от температуры Т, обусловленную флуктуациями химических (ковалентных) связей (ФХС). Кулонівська взаємодія пари електронів ri сусідніх йонів Rj в представленні сильного зв’язку зводиться або до енергії ковалентного зв’язку (Г), або ж до інтеґрала перескоку (t), які обчислюються для двовимірних систем типу фуллеренів (ФУЛ) і нанорурок вуглецю (НРВ). Теорія напівпровідникових (н/п) систем дає залежність енергії зв’язку Г(Т) від температури Т, зумовлену флюктуаціями хемічних (ковалентних) зв’язків (ФХЗ). The Coulomb interaction of electron pair in ri of neighbour ions at Rj within the tight-binding representation comes either to the covalent-bond energy (Г) or to the hopping integral (t) that is calculated for two-dimensional systems such as fullerenes (FUL) and carbon nanotubes (CNT). The theory of semiconductor (s/c) systems leads to the dependence of bond energy Г(T) on temperature T, which is caused by the chemical (covalent) bond fluctuations (CBF).
issn 1608-1021
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125816
citation_txt Ковалентно-зонная модель конденсированного состояния / А.И. Мицек // Успехи физики металлов. — 2005. — Т. 6, № 3. — С. 233-272. — Бібліогр.: 33 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT micekai kovalentnozonnaâmodelʹkondensirovannogosostoâniâ
AT micekai kovalentnozonnamodelʹkondensovanogostanu
AT micekai covalentbandmodelofthecondensedmatter
first_indexed 2025-12-07T19:11:32Z
last_indexed 2025-12-07T19:11:32Z
_version_ 1850877875772719105