Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки

Проведено физико-математическое моделирование поверхности алмазоподобной углеродной (ta-C) пленки для области перехода sp²/sp³-фаз и представлены результаты ее исследования методом сканирующей туннельной микроскопии при использовании острия из полупроводникового монокристалла алмаза, легированного б...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Сверхтвердые материалы
Datum:2012
1. Verfasser: Цысарь, М.А.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2012
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125979
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки / М.А. Цысарь // Сверхтвердые материалы. — 2012. — № 3. — С. 52-61. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-125979
record_format dspace
spelling Цысарь, М.А.
2017-11-11T09:40:42Z
2017-11-11T09:40:42Z
2012
Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки / М.А. Цысарь // Сверхтвердые материалы. — 2012. — № 3. — С. 52-61. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
0203-3119
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125979
691.327:666.973.6
Проведено физико-математическое моделирование поверхности алмазоподобной углеродной (ta-C) пленки для области перехода sp²/sp³-фаз и представлены результаты ее исследования методом сканирующей туннельной микроскопии при использовании острия из полупроводникового монокристалла алмаза, легированного бором. Показано, что перепад высот в граничном слое sp²/sp³-фаз не связан с функциональными особенностями туннельного микроскопа. С использованием трех независимых методов проведен фрактальный анализ поверхности, контура и профиля сечения, и на основе этого подтвержден факт принадлежности поверхности к фрактальным броуновским. Показано, что площадь реальной исследуемой поверхности может значительно превышать площадь видимого контактного окна.
Проведено фізико-математичне моделювання поверхні ta-C-вуглецевої алмазоподібної плівки для зони переходу sp²/sp³-фаз і представлено результати її дослідження методом сканівної тунельної мікроскопії з використанням індентору із напівпровідникового монокристалу алмазу, легованого бором. Показано, що перепад висот в граничному шарі sp²/sp³-фаз не пов’язаний з функціональними особливостями тунельного мікроскопу. З використанням трьох незалежних методів проведено фрактальний аналіз поверхні, контуру і профілю перетину, на основі чого підтверджено факт приналежності поверхні до фрактальних броунівських. Показано, що площа реальної поверхні може значно перевищувати площу видимого контактного вікна.
A physicomathematical modeling of the surface of a diamond-like carbon (ta-C) film is performed for the sp²/sp³ phase transition region, and results of scanning tunneling microscopic examination using a boron-doped single-crystal semiconductor diamond tip are provided. It is demonstrated that the height difference in the sp²/sp³ interface layer is not related to functional features of the tunneling microscope. A fractal analysis of the surface, contour, and profile of the section has been carried out by three independent methods; and the findings confirm that the surface belongs to the category of fractal Browning surfaces. It is shown that the real surface area under study can greatly exceed the area of the visible contact window..
ru
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
Сверхтвердые материалы
Получение, структура, свойства
Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки
The use of scanning tunnel microscope with a diamond tip to study structural features of ta-C films
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки
spellingShingle Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки
Цысарь, М.А.
Получение, структура, свойства
title_short Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки
title_full Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки
title_fullStr Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки
title_full_unstemmed Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки
title_sort использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-c-пленки
author Цысарь, М.А.
author_facet Цысарь, М.А.
topic Получение, структура, свойства
topic_facet Получение, структура, свойства
publishDate 2012
language Russian
container_title Сверхтвердые материалы
publisher Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
format Article
title_alt The use of scanning tunnel microscope with a diamond tip to study structural features of ta-C films
description Проведено физико-математическое моделирование поверхности алмазоподобной углеродной (ta-C) пленки для области перехода sp²/sp³-фаз и представлены результаты ее исследования методом сканирующей туннельной микроскопии при использовании острия из полупроводникового монокристалла алмаза, легированного бором. Показано, что перепад высот в граничном слое sp²/sp³-фаз не связан с функциональными особенностями туннельного микроскопа. С использованием трех независимых методов проведен фрактальный анализ поверхности, контура и профиля сечения, и на основе этого подтвержден факт принадлежности поверхности к фрактальным броуновским. Показано, что площадь реальной исследуемой поверхности может значительно превышать площадь видимого контактного окна. Проведено фізико-математичне моделювання поверхні ta-C-вуглецевої алмазоподібної плівки для зони переходу sp²/sp³-фаз і представлено результати її дослідження методом сканівної тунельної мікроскопії з використанням індентору із напівпровідникового монокристалу алмазу, легованого бором. Показано, що перепад висот в граничному шарі sp²/sp³-фаз не пов’язаний з функціональними особливостями тунельного мікроскопу. З використанням трьох незалежних методів проведено фрактальний аналіз поверхні, контуру і профілю перетину, на основі чого підтверджено факт приналежності поверхні до фрактальних броунівських. Показано, що площа реальної поверхні може значно перевищувати площу видимого контактного вікна. A physicomathematical modeling of the surface of a diamond-like carbon (ta-C) film is performed for the sp²/sp³ phase transition region, and results of scanning tunneling microscopic examination using a boron-doped single-crystal semiconductor diamond tip are provided. It is demonstrated that the height difference in the sp²/sp³ interface layer is not related to functional features of the tunneling microscope. A fractal analysis of the surface, contour, and profile of the section has been carried out by three independent methods; and the findings confirm that the surface belongs to the category of fractal Browning surfaces. It is shown that the real surface area under study can greatly exceed the area of the visible contact window..
issn 0203-3119
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125979
citation_txt Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки / М.А. Цысарь // Сверхтвердые материалы. — 2012. — № 3. — С. 52-61. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT cysarʹma ispolʹzovanieskaniruûŝegotunnelʹnogomikroskopasalmaznymostriemdlâissledovaniâstrukturnyhosobennosteitacplenki
AT cysarʹma theuseofscanningtunnelmicroscopewithadiamondtiptostudystructuralfeaturesoftacfilms
first_indexed 2025-12-07T21:17:53Z
last_indexed 2025-12-07T21:17:53Z
_version_ 1850885824099385344