Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки

Проведено физико-математическое моделирование поверхности алмазоподобной углеродной (ta-C) пленки для области перехода sp²/sp³-фаз и представлены результаты ее исследования методом сканирующей туннельной микроскопии при использовании острия из полупроводникового монокристалла алмаза, легированного б...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Сверхтвердые материалы
Дата:2012
Автор: Цысарь, М.А.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2012
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125979
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки / М.А. Цысарь // Сверхтвердые материалы. — 2012. — № 3. — С. 52-61. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862752739152363520
author Цысарь, М.А.
author_facet Цысарь, М.А.
citation_txt Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки / М.А. Цысарь // Сверхтвердые материалы. — 2012. — № 3. — С. 52-61. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Сверхтвердые материалы
description Проведено физико-математическое моделирование поверхности алмазоподобной углеродной (ta-C) пленки для области перехода sp²/sp³-фаз и представлены результаты ее исследования методом сканирующей туннельной микроскопии при использовании острия из полупроводникового монокристалла алмаза, легированного бором. Показано, что перепад высот в граничном слое sp²/sp³-фаз не связан с функциональными особенностями туннельного микроскопа. С использованием трех независимых методов проведен фрактальный анализ поверхности, контура и профиля сечения, и на основе этого подтвержден факт принадлежности поверхности к фрактальным броуновским. Показано, что площадь реальной исследуемой поверхности может значительно превышать площадь видимого контактного окна. Проведено фізико-математичне моделювання поверхні ta-C-вуглецевої алмазоподібної плівки для зони переходу sp²/sp³-фаз і представлено результати її дослідження методом сканівної тунельної мікроскопії з використанням індентору із напівпровідникового монокристалу алмазу, легованого бором. Показано, що перепад висот в граничному шарі sp²/sp³-фаз не пов’язаний з функціональними особливостями тунельного мікроскопу. З використанням трьох незалежних методів проведено фрактальний аналіз поверхні, контуру і профілю перетину, на основі чого підтверджено факт приналежності поверхні до фрактальних броунівських. Показано, що площа реальної поверхні може значно перевищувати площу видимого контактного вікна. A physicomathematical modeling of the surface of a diamond-like carbon (ta-C) film is performed for the sp²/sp³ phase transition region, and results of scanning tunneling microscopic examination using a boron-doped single-crystal semiconductor diamond tip are provided. It is demonstrated that the height difference in the sp²/sp³ interface layer is not related to functional features of the tunneling microscope. A fractal analysis of the surface, contour, and profile of the section has been carried out by three independent methods; and the findings confirm that the surface belongs to the category of fractal Browning surfaces. It is shown that the real surface area under study can greatly exceed the area of the visible contact window..
first_indexed 2025-12-07T21:17:53Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-125979
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0203-3119
language Russian
last_indexed 2025-12-07T21:17:53Z
publishDate 2012
publisher Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
record_format dspace
spelling Цысарь, М.А.
2017-11-11T09:40:42Z
2017-11-11T09:40:42Z
2012
Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки / М.А. Цысарь // Сверхтвердые материалы. — 2012. — № 3. — С. 52-61. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
0203-3119
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125979
691.327:666.973.6
Проведено физико-математическое моделирование поверхности алмазоподобной углеродной (ta-C) пленки для области перехода sp²/sp³-фаз и представлены результаты ее исследования методом сканирующей туннельной микроскопии при использовании острия из полупроводникового монокристалла алмаза, легированного бором. Показано, что перепад высот в граничном слое sp²/sp³-фаз не связан с функциональными особенностями туннельного микроскопа. С использованием трех независимых методов проведен фрактальный анализ поверхности, контура и профиля сечения, и на основе этого подтвержден факт принадлежности поверхности к фрактальным броуновским. Показано, что площадь реальной исследуемой поверхности может значительно превышать площадь видимого контактного окна.
Проведено фізико-математичне моделювання поверхні ta-C-вуглецевої алмазоподібної плівки для зони переходу sp²/sp³-фаз і представлено результати її дослідження методом сканівної тунельної мікроскопії з використанням індентору із напівпровідникового монокристалу алмазу, легованого бором. Показано, що перепад висот в граничному шарі sp²/sp³-фаз не пов’язаний з функціональними особливостями тунельного мікроскопу. З використанням трьох незалежних методів проведено фрактальний аналіз поверхні, контуру і профілю перетину, на основі чого підтверджено факт приналежності поверхні до фрактальних броунівських. Показано, що площа реальної поверхні може значно перевищувати площу видимого контактного вікна.
A physicomathematical modeling of the surface of a diamond-like carbon (ta-C) film is performed for the sp²/sp³ phase transition region, and results of scanning tunneling microscopic examination using a boron-doped single-crystal semiconductor diamond tip are provided. It is demonstrated that the height difference in the sp²/sp³ interface layer is not related to functional features of the tunneling microscope. A fractal analysis of the surface, contour, and profile of the section has been carried out by three independent methods; and the findings confirm that the surface belongs to the category of fractal Browning surfaces. It is shown that the real surface area under study can greatly exceed the area of the visible contact window..
ru
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
Сверхтвердые материалы
Получение, структура, свойства
Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки
The use of scanning tunnel microscope with a diamond tip to study structural features of ta-C films
Article
published earlier
spellingShingle Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки
Цысарь, М.А.
Получение, структура, свойства
title Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки
title_alt The use of scanning tunnel microscope with a diamond tip to study structural features of ta-C films
title_full Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки
title_fullStr Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки
title_full_unstemmed Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки
title_short Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки
title_sort использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-c-пленки
topic Получение, структура, свойства
topic_facet Получение, структура, свойства
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/125979
work_keys_str_mv AT cysarʹma ispolʹzovanieskaniruûŝegotunnelʹnogomikroskopasalmaznymostriemdlâissledovaniâstrukturnyhosobennosteitacplenki
AT cysarʹma theuseofscanningtunnelmicroscopewithadiamondtiptostudystructuralfeaturesoftacfilms