О плавлении карбида кремния под давлением
Изучено плавление карбида кремния при давлениях 5–8 ГПа и температурах до 3300 K и установлено, что SiC плавится конгруэнтно, а кривая его плавления имеет отрицательный наклон –44±4 K/ГПа. Вивчено плавлення карбіду кремнію при тисках 5–8 ГПа і температурах до 3300 K та встановлено, що SiC плавиться...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Сверхтвердые материалы |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/126004 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | О плавлении карбида кремния под давлением / П.С. Соколов, В.А. Муханов, Т. Шово, В.Л. Соложенко // Сверхтвердые материалы. — 2012. — № 5. — С. 76-78. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-126004 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Соколов, П.С. Муханов, В.А. Шово, Т. Соложенко, В.Л. 2017-11-11T13:52:14Z 2017-11-11T13:52:14Z 2012 О плавлении карбида кремния под давлением / П.С. Соколов, В.А. Муханов, Т. Шово, В.Л. Соложенко // Сверхтвердые материалы. — 2012. — № 5. — С. 76-78. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 0203-3119 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/126004 661.665.1; 536.421.1:53.092 Изучено плавление карбида кремния при давлениях 5–8 ГПа и температурах до 3300 K и установлено, что SiC плавится конгруэнтно, а кривая его плавления имеет отрицательный наклон –44±4 K/ГПа. Вивчено плавлення карбіду кремнію при тисках 5–8 ГПа і температурах до 3300 K та встановлено, що SiC плавиться конгруентно, а крива його плавлення має від’ємний нахил –44±4 K/ГПа. The melting of silicon carbide has been studied at pressures 5–8 GPa and temperatures up to 3300 K. It was found that SiC melts congruently, and its melting curve has negative slope (–44±4 K/GPa). Авторы благодарят Николя Фаньона (Nicolas Fagnon) за помощь в подготовке экспериментов, а также выражают признательность Agence Nationale de la Recherche за финансовую поддержку (грант ANR-2011-BS08-018-01). ru Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України Сверхтвердые материалы Письма в редакцию О плавлении карбида кремния под давлением On melting of silicon carbide under pressure Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
О плавлении карбида кремния под давлением |
| spellingShingle |
О плавлении карбида кремния под давлением Соколов, П.С. Муханов, В.А. Шово, Т. Соложенко, В.Л. Письма в редакцию |
| title_short |
О плавлении карбида кремния под давлением |
| title_full |
О плавлении карбида кремния под давлением |
| title_fullStr |
О плавлении карбида кремния под давлением |
| title_full_unstemmed |
О плавлении карбида кремния под давлением |
| title_sort |
о плавлении карбида кремния под давлением |
| author |
Соколов, П.С. Муханов, В.А. Шово, Т. Соложенко, В.Л. |
| author_facet |
Соколов, П.С. Муханов, В.А. Шово, Т. Соложенко, В.Л. |
| topic |
Письма в редакцию |
| topic_facet |
Письма в редакцию |
| publishDate |
2012 |
| language |
Russian |
| container_title |
Сверхтвердые материалы |
| publisher |
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
On melting of silicon carbide under pressure |
| description |
Изучено плавление карбида кремния при давлениях 5–8 ГПа и температурах до 3300 K и установлено, что SiC плавится конгруэнтно, а кривая его плавления имеет отрицательный наклон –44±4 K/ГПа.
Вивчено плавлення карбіду кремнію при тисках 5–8 ГПа і температурах до 3300 K та встановлено, що SiC плавиться конгруентно, а крива його плавлення має від’ємний нахил –44±4 K/ГПа.
The melting of silicon carbide has been studied at pressures 5–8 GPa and temperatures up to 3300 K. It was found that SiC melts congruently, and its melting curve has negative slope (–44±4 K/GPa).
|
| issn |
0203-3119 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/126004 |
| citation_txt |
О плавлении карбида кремния под давлением / П.С. Соколов, В.А. Муханов, Т. Шово, В.Л. Соложенко // Сверхтвердые материалы. — 2012. — № 5. — С. 76-78. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT sokolovps oplavleniikarbidakremniâpoddavleniem AT muhanovva oplavleniikarbidakremniâpoddavleniem AT šovot oplavleniikarbidakremniâpoddavleniem AT soloženkovl oplavleniikarbidakremniâpoddavleniem AT sokolovps onmeltingofsiliconcarbideunderpressure AT muhanovva onmeltingofsiliconcarbideunderpressure AT šovot onmeltingofsiliconcarbideunderpressure AT soloženkovl onmeltingofsiliconcarbideunderpressure |
| first_indexed |
2025-12-07T19:26:36Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:26:36Z |
| _version_ |
1850878823348830208 |