О плавлении карбида кремния под давлением - Соколов, П.С.; Муханов, В.А.; Шово, Т.; Соложенко, В.Л. (Сверхтвердые материалы, 2012)
Изучено плавление карбида кремния при давлениях 5–8 ГПа и температурах до 3300 K и установлено, что SiC плавится конгруэнтно, а кривая его плавления имеет отрицательный наклон –44±4 K/ГПа. Вивчено плавлення карбіду кремнію при тисках 5–8 ГПа і температурах до 3300 K та встановлено, що SiC плавиться конгруентно, а крива його плавлення має від’ємний нахил –44±4 K/ГПа. The melting of silicon carbide has been studied at pressures 5–8 GPa and temperatures up to 3300 K. It was found that SiC melts congruently, and its melting curve has negative slope (–44±4 K/GPa).