Исследование фазовых переходов в кремнии методами сканирующей туннельной спектроскопии и наноиндентирования
Представлены результаты экспериментов по наноцарапанию и наноиндентированию поверхности кремния с использованием сканирующего туннельного микроскопа, оснащенного полупроводниковым алмазным зондом. Обсуждены физические явления в кремнии, возникающие при различных уровнях контактного давления. Предста...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Сверхтвердые материалы |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| ISSN: | 0203-3119 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/126071 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование фазовых переходов в кремнии методами сканирующей туннельной спектроскопии и наноиндентирования / О.Г. Лысенко, С.Н. Дуб, В.И. Грушко, Е.И. Мицкевич, Г.Н. Толмачева // Сверхтвердые материалы. — 2013. — № 6. — С. 28-35. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Представлены результаты экспериментов по наноцарапанию и наноиндентированию поверхности кремния с использованием сканирующего туннельного микроскопа, оснащенного полупроводниковым алмазным зондом. Обсуждены физические явления в кремнии, возникающие при различных уровнях контактного давления.
Представлено результати експериментів з нанодряпання та наноіндентування поверхні кремнію з використанням скануючого тунельного мікроскопа, оснащеного напівпровідниковим алмазним вістрям. Обговорено фізичні явища в кремнії, що виникають при різних рівнях контактного тиску.
Results of experiments on silicon samples that include nanoscratching and nanoindantation, using the scanning tunelling microscope with conductive diamond tip are presented. Physical phenomena in the silicon arising from different levels of the contact pressure are discussed.
|
|---|---|
| ISSN: | 0203-3119 |