Вплив технологічних параметрів осадження на функції розподілу прозоростей бар’єрів переходів Джозефсона
Досліджено транспорт зарядів в переходах надпровідник–ізолятор–надпровідник. Використання в якості підкладок надтвердого матеріалу – лейкосапфіру – для створення переходів Джозефсона дозволило вперше отримати взаємозв’язок між технологічними параметрами процесу осадження шарів переходу, структурою б...
Saved in:
| Published in: | Сверхтвердые материалы |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
2014
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/126111 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Вплив технологічних параметрів осадження на функції розподілу прозоростей бар’єрів переходів Джозефсона / А.В. Шатернік, А.П. Шаповалов, Т.О. Пріхна // Сверхтвердые материалы. — 2014. — № 3. — С. 48-56. — Бібліогр.: 8 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862737657317031936 |
|---|---|
| author | Шатернік, А.В. Шаповалов, А.П. Пріхна, Т.О. |
| author_facet | Шатернік, А.В. Шаповалов, А.П. Пріхна, Т.О. |
| citation_txt | Вплив технологічних параметрів осадження на функції розподілу прозоростей бар’єрів переходів Джозефсона / А.В. Шатернік, А.П. Шаповалов, Т.О. Пріхна // Сверхтвердые материалы. — 2014. — № 3. — С. 48-56. — Бібліогр.: 8 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Сверхтвердые материалы |
| description | Досліджено транспорт зарядів в переходах надпровідник–ізолятор–надпровідник. Використання в якості підкладок надтвердого матеріалу – лейкосапфіру – для створення переходів Джозефсона дозволило вперше отримати взаємозв’язок між технологічними параметрами процесу осадження шарів переходу, структурою бар’єру та модельними параметрами транспорту зарядів в цих переходах. Розглянуто результати експериментальних досліджень нанорозмірних структур, створених на основі тонких плівок MoRe-надпровідників. Транспорт зарядів в цих гетероструктурах аналізується в межах модифікованої теоретичної моделі багаторазових андріївських відбивань з урахуванням функції розподілу прозоростей бар’єру. Такий підхід дозволяє описати еволюцію форми реальних вольт-амперных характеристик гетероструктур в залежності від технологічних умов їх виготовлення.
Исследован транспорт зарядов в переходах сверхпроводник–изолятор–сверхпроводник. Использование в качестве подложек сверхтвердого материала – лейкосапфира – для создания переходов Джозефсона позволило впервые осветить взаимосвязь между технологическими параметрами процесса осаждения слоев перехода, структурой барьера и модельными параметрами транспорта зарядов в этих переходах. Рассмотрены результаты экспериментальных исследований наноразмерных структур, созданных на основе тонких пленок MoRe-сверхпроводников. Транспорт зарядов в этих гетероструктурах анализируется в рамках модифицированной теоретической модели многократных андреевских отражений с учетом функции распределения прозрачностей в барьере. Такой подход позволяет описать эволюцию формы реальных вольт-амперных характеристик гетероструктур в зависимости от технологических условий их изготовления.
We study charge transport in superconductor–insulator–superconductor junctions. Using of the substrates which are fabricated from a superhard material, for example, from the sapphire gives us a possibility to investigate experimentally the correlations in between the technological parameters of the Josephson junctions fabrication, their barriers crystallographic structure and model parameters of the charge transport in these junctions. Consideration is based on our interpretation of experimental results for the nanosized heterostructures fabricated on the base of MoRe superconducting thin films. Charge transport in these heterostructures is analyzed within the modified theoretical model of the multiple Andreev reflections with taking in account the transparency distribution functions for the barriers. Our approach allows us to describe the evolution of the shape of real heterostructures volt-ampere characteristics in dependence on technological conditions of fabrication.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:00:28Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-126111 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0203-3119 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:00:28Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Шатернік, А.В. Шаповалов, А.П. Пріхна, Т.О. 2017-11-14T15:37:58Z 2017-11-14T15:37:58Z 2014 Вплив технологічних параметрів осадження на функції розподілу прозоростей бар’єрів переходів Джозефсона / А.В. Шатернік, А.П. Шаповалов, Т.О. Пріхна // Сверхтвердые материалы. — 2014. — № 3. — С. 48-56. — Бібліогр.: 8 назв. — укр. 0203-3119 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/126111 537.312.62 Досліджено транспорт зарядів в переходах надпровідник–ізолятор–надпровідник. Використання в якості підкладок надтвердого матеріалу – лейкосапфіру – для створення переходів Джозефсона дозволило вперше отримати взаємозв’язок між технологічними параметрами процесу осадження шарів переходу, структурою бар’єру та модельними параметрами транспорту зарядів в цих переходах. Розглянуто результати експериментальних досліджень нанорозмірних структур, створених на основі тонких плівок MoRe-надпровідників. Транспорт зарядів в цих гетероструктурах аналізується в межах модифікованої теоретичної моделі багаторазових андріївських відбивань з урахуванням функції розподілу прозоростей бар’єру. Такий підхід дозволяє описати еволюцію форми реальних вольт-амперных характеристик гетероструктур в залежності від технологічних умов їх виготовлення. Исследован транспорт зарядов в переходах сверхпроводник–изолятор–сверхпроводник. Использование в качестве подложек сверхтвердого материала – лейкосапфира – для создания переходов Джозефсона позволило впервые осветить взаимосвязь между технологическими параметрами процесса осаждения слоев перехода, структурой барьера и модельными параметрами транспорта зарядов в этих переходах. Рассмотрены результаты экспериментальных исследований наноразмерных структур, созданных на основе тонких пленок MoRe-сверхпроводников. Транспорт зарядов в этих гетероструктурах анализируется в рамках модифицированной теоретической модели многократных андреевских отражений с учетом функции распределения прозрачностей в барьере. Такой подход позволяет описать эволюцию формы реальных вольт-амперных характеристик гетероструктур в зависимости от технологических условий их изготовления. We study charge transport in superconductor–insulator–superconductor junctions. Using of the substrates which are fabricated from a superhard material, for example, from the sapphire gives us a possibility to investigate experimentally the correlations in between the technological parameters of the Josephson junctions fabrication, their barriers crystallographic structure and model parameters of the charge transport in these junctions. Consideration is based on our interpretation of experimental results for the nanosized heterostructures fabricated on the base of MoRe superconducting thin films. Charge transport in these heterostructures is analyzed within the modified theoretical model of the multiple Andreev reflections with taking in account the transparency distribution functions for the barriers. Our approach allows us to describe the evolution of the shape of real heterostructures volt-ampere characteristics in dependence on technological conditions of fabrication. uk Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України Сверхтвердые материалы Получение, структура, свойства Вплив технологічних параметрів осадження на функції розподілу прозоростей бар’єрів переходів Джозефсона Effect of the deposition technological parameters on the transparences distribution functions of Josephson junction barriers Article published earlier |
| spellingShingle | Вплив технологічних параметрів осадження на функції розподілу прозоростей бар’єрів переходів Джозефсона Шатернік, А.В. Шаповалов, А.П. Пріхна, Т.О. Получение, структура, свойства |
| title | Вплив технологічних параметрів осадження на функції розподілу прозоростей бар’єрів переходів Джозефсона |
| title_alt | Effect of the deposition technological parameters on the transparences distribution functions of Josephson junction barriers |
| title_full | Вплив технологічних параметрів осадження на функції розподілу прозоростей бар’єрів переходів Джозефсона |
| title_fullStr | Вплив технологічних параметрів осадження на функції розподілу прозоростей бар’єрів переходів Джозефсона |
| title_full_unstemmed | Вплив технологічних параметрів осадження на функції розподілу прозоростей бар’єрів переходів Джозефсона |
| title_short | Вплив технологічних параметрів осадження на функції розподілу прозоростей бар’єрів переходів Джозефсона |
| title_sort | вплив технологічних параметрів осадження на функції розподілу прозоростей бар’єрів переходів джозефсона |
| topic | Получение, структура, свойства |
| topic_facet | Получение, структура, свойства |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/126111 |
| work_keys_str_mv | AT šaterníkav vplivtehnologíčnihparametrívosadžennânafunkcíírozpodíluprozorosteibarêrívperehodívdžozefsona AT šapovalovap vplivtehnologíčnihparametrívosadžennânafunkcíírozpodíluprozorosteibarêrívperehodívdžozefsona AT príhnato vplivtehnologíčnihparametrívosadžennânafunkcíírozpodíluprozorosteibarêrívperehodívdžozefsona AT šaterníkav effectofthedepositiontechnologicalparametersonthetransparencesdistributionfunctionsofjosephsonjunctionbarriers AT šapovalovap effectofthedepositiontechnologicalparametersonthetransparencesdistributionfunctionsofjosephsonjunctionbarriers AT príhnato effectofthedepositiontechnologicalparametersonthetransparencesdistributionfunctionsofjosephsonjunctionbarriers |