Закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі AlN–SiC

• Published in: Сверхтвердые материалы
• Date: 2015
• Main Authors: Пріхна, Т.О., Сербенюк, Т.Б., Свердун, В.Б., Часник, В.І., Карпець, М.В., Басюк, Т.В., Делліх, Я.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2015
• Subjects: Получение, структура, свойства
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/126208
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі AlN–SiC / Т.О. Пріхна, Т.Б. Сербенюк, В.Б. Свердун, В.І. Часник, М.В. Карпець, Т.В. Басюк, Я. Делліх // Сверхтвердые материалы. — 2015. — № 5. — С. 3-11. — Бібліогр.: 20 назв. — укр.

Методом вільного спікання одержано композиційні матеріали на основі AlN–SiC. Встановлено, що при формуванні структури AlN–SiC–Y₃Al₅O₁₂ алюмо-ітрієвий гранат розміщується по границям зерен SiC і AlN, перешкоджаючи взаємній розчинності AlN–SiC. Визначено, що збільшення кількості SiC від 20 до 50 % (за масою) приводить до зміни параметрів а (від 0,49821 до 0,49837 нм) і с (від 0,5046 до 0,498 нм) кристалічної ґратки AlN та до зростання поглинаючої здатності композита від 8,8 до 31,4 дБ/см (на частотах 9,5–10,5 ГГц). Методом свободного спекания получены композиционные материалы на основе AlN–SiC. Отмечено, что при формировании структуры AlN–SiC–Y₃Al₅O₁₂ алюмо-иттриевый гранат размещается по границам зерен SiC и AlN и препятствует взаимной растворимости AlN–SiC. Увеличение количества SiC от 20 до 50 % (по массе) способствует изменению параметров а (от 0,49821 до 0,49837 нм) и с (от 0,5046 нм до 0,498 нм) кристаллической решетки AlN, а также росту поглощающей способности композита от 8,8 до 31,4 дБ/см (на частотах 9,5–10,5 ГГц). The composite materials based on AlN–SiC were obtained by sintering method. It was shown that location of yttrium-aluminum garnet along the SiC and AlN grain boundaries prevent mutual solubility of AlN–SiC during the AlN–SiC–Y₃Al₅O₁₂ structure formation. Increasing of SiC content from 20 to 50 wt. % leads to variation of AlN lattice parameters a (from 0.49821 to 0.49837 nm) and c (from 0.5046 to 0.498 nm) and increasing of the composite absorbing capacity from 8.8 to 31.4 dB/cm, respectively (at the frequencies 9.5–10.5 GHz).