Закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі AlN–SiC

Методом вільного спікання одержано композиційні матеріали на основі AlN–SiC. Встановлено, що при формуванні структури AlN–SiC–Y₃Al₅O₁₂ алюмо-ітрієвий гранат розміщується по границям зерен SiC і AlN, перешкоджаючи взаємній розчинності AlN–SiC. Визначено, що збільшення кількості SiC від 20 до 50 % (за...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2015
Hauptverfasser: Пріхна, Т.О., Сербенюк, Т.Б., Свердун, В.Б., Часник, В.І., Карпець, М.В., Басюк, Т.В., Делліх, Я.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2015
Schriftenreihe:Сверхтвердые материалы
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/126208
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі AlN–SiC / Т.О. Пріхна, Т.Б. Сербенюк, В.Б. Свердун, В.І. Часник, М.В. Карпець, Т.В. Басюк, Я. Делліх // Сверхтвердые материалы. — 2015. — № 5. — С. 3-11. — Бібліогр.: 20 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Методом вільного спікання одержано композиційні матеріали на основі AlN–SiC. Встановлено, що при формуванні структури AlN–SiC–Y₃Al₅O₁₂ алюмо-ітрієвий гранат розміщується по границям зерен SiC і AlN, перешкоджаючи взаємній розчинності AlN–SiC. Визначено, що збільшення кількості SiC від 20 до 50 % (за масою) приводить до зміни параметрів а (від 0,49821 до 0,49837 нм) і с (від 0,5046 до 0,498 нм) кристалічної ґратки AlN та до зростання поглинаючої здатності композита від 8,8 до 31,4 дБ/см (на частотах 9,5–10,5 ГГц).