Закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі AlN–SiC

Методом вільного спікання одержано композиційні матеріали на основі AlN–SiC. Встановлено, що при формуванні структури AlN–SiC–Y₃Al₅O₁₂ алюмо-ітрієвий гранат розміщується по границям зерен SiC і AlN, перешкоджаючи взаємній розчинності AlN–SiC. Визначено, що збільшення кількості SiC від 20 до 50 % (за...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Сверхтвердые материалы
Дата:2015
Автори: Пріхна, Т.О., Сербенюк, Т.Б., Свердун, В.Б., Часник, В.І., Карпець, М.В., Басюк, Т.В., Делліх, Я.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2015
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/126208
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі AlN–SiC / Т.О. Пріхна, Т.Б. Сербенюк, В.Б. Свердун, В.І. Часник, М.В. Карпець, Т.В. Басюк, Я. Делліх // Сверхтвердые материалы. — 2015. — № 5. — С. 3-11. — Бібліогр.: 20 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862567636487897088
author Пріхна, Т.О.
Сербенюк, Т.Б.
Свердун, В.Б.
Часник, В.І.
Карпець, М.В.
Басюк, Т.В.
Делліх, Я.
author_facet Пріхна, Т.О.
Сербенюк, Т.Б.
Свердун, В.Б.
Часник, В.І.
Карпець, М.В.
Басюк, Т.В.
Делліх, Я.
citation_txt Закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі AlN–SiC / Т.О. Пріхна, Т.Б. Сербенюк, В.Б. Свердун, В.І. Часник, М.В. Карпець, Т.В. Басюк, Я. Делліх // Сверхтвердые материалы. — 2015. — № 5. — С. 3-11. — Бібліогр.: 20 назв. — укр.
collection DSpace DC
container_title Сверхтвердые материалы
description Методом вільного спікання одержано композиційні матеріали на основі AlN–SiC. Встановлено, що при формуванні структури AlN–SiC–Y₃Al₅O₁₂ алюмо-ітрієвий гранат розміщується по границям зерен SiC і AlN, перешкоджаючи взаємній розчинності AlN–SiC. Визначено, що збільшення кількості SiC від 20 до 50 % (за масою) приводить до зміни параметрів а (від 0,49821 до 0,49837 нм) і с (від 0,5046 до 0,498 нм) кристалічної ґратки AlN та до зростання поглинаючої здатності композита від 8,8 до 31,4 дБ/см (на частотах 9,5–10,5 ГГц). Методом свободного спекания получены композиционные материалы на основе AlN–SiC. Отмечено, что при формировании структуры AlN–SiC–Y₃Al₅O₁₂ алюмо-иттриевый гранат размещается по границам зерен SiC и AlN и препятствует взаимной растворимости AlN–SiC. Увеличение количества SiC от 20 до 50 % (по массе) способствует изменению параметров а (от 0,49821 до 0,49837 нм) и с (от 0,5046 нм до 0,498 нм) кристаллической решетки AlN, а также росту поглощающей способности композита от 8,8 до 31,4 дБ/см (на частотах 9,5–10,5 ГГц). The composite materials based on AlN–SiC were obtained by sintering method. It was shown that location of yttrium-aluminum garnet along the SiC and AlN grain boundaries prevent mutual solubility of AlN–SiC during the AlN–SiC–Y₃Al₅O₁₂ structure formation. Increasing of SiC content from 20 to 50 wt. % leads to variation of AlN lattice parameters a (from 0.49821 to 0.49837 nm) and c (from 0.5046 to 0.498 nm) and increasing of the composite absorbing capacity from 8.8 to 31.4 dB/cm, respectively (at the frequencies 9.5–10.5 GHz).
first_indexed 2025-11-26T00:18:48Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-126208
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 0203-3119
language Ukrainian
last_indexed 2025-11-26T00:18:48Z
publishDate 2015
publisher Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
record_format dspace
spelling Пріхна, Т.О.
Сербенюк, Т.Б.
Свердун, В.Б.
Часник, В.І.
Карпець, М.В.
Басюк, Т.В.
Делліх, Я.
2017-11-17T15:37:59Z
2017-11-17T15:37:59Z
2015
Закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі AlN–SiC / Т.О. Пріхна, Т.Б. Сербенюк, В.Б. Свердун, В.І. Часник, М.В. Карпець, Т.В. Басюк, Я. Делліх // Сверхтвердые материалы. — 2015. — № 5. — С. 3-11. — Бібліогр.: 20 назв. — укр.
0203-3119
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/126208
666.3:539.5
Методом вільного спікання одержано композиційні матеріали на основі AlN–SiC. Встановлено, що при формуванні структури AlN–SiC–Y₃Al₅O₁₂ алюмо-ітрієвий гранат розміщується по границям зерен SiC і AlN, перешкоджаючи взаємній розчинності AlN–SiC. Визначено, що збільшення кількості SiC від 20 до 50 % (за масою) приводить до зміни параметрів а (від 0,49821 до 0,49837 нм) і с (від 0,5046 до 0,498 нм) кристалічної ґратки AlN та до зростання поглинаючої здатності композита від 8,8 до 31,4 дБ/см (на частотах 9,5–10,5 ГГц).
Методом свободного спекания получены композиционные материалы на основе AlN–SiC. Отмечено, что при формировании структуры AlN–SiC–Y₃Al₅O₁₂ алюмо-иттриевый гранат размещается по границам зерен SiC и AlN и препятствует взаимной растворимости AlN–SiC. Увеличение количества SiC от 20 до 50 % (по массе) способствует изменению параметров а (от 0,49821 до 0,49837 нм) и с (от 0,5046 нм до 0,498 нм) кристаллической решетки AlN, а также росту поглощающей способности композита от 8,8 до 31,4 дБ/см (на частотах 9,5–10,5 ГГц).
The composite materials based on AlN–SiC were obtained by sintering method. It was shown that location of yttrium-aluminum garnet along the SiC and AlN grain boundaries prevent mutual solubility of AlN–SiC during the AlN–SiC–Y₃Al₅O₁₂ structure formation. Increasing of SiC content from 20 to 50 wt. % leads to variation of AlN lattice parameters a (from 0.49821 to 0.49837 nm) and c (from 0.5046 to 0.498 nm) and increasing of the composite absorbing capacity from 8.8 to 31.4 dB/cm, respectively (at the frequencies 9.5–10.5 GHz).
uk
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
Сверхтвердые материалы
Получение, структура, свойства
Закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі AlN–SiC
Formation regularities of structures of AlN–SiC-based ceramic materials
Article
published earlier
spellingShingle Закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі AlN–SiC
Пріхна, Т.О.
Сербенюк, Т.Б.
Свердун, В.Б.
Часник, В.І.
Карпець, М.В.
Басюк, Т.В.
Делліх, Я.
Получение, структура, свойства
title Закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі AlN–SiC
title_alt Formation regularities of structures of AlN–SiC-based ceramic materials
title_full Закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі AlN–SiC
title_fullStr Закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі AlN–SiC
title_full_unstemmed Закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі AlN–SiC
title_short Закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі AlN–SiC
title_sort закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі aln–sic
topic Получение, структура, свойства
topic_facet Получение, структура, свойства
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/126208
work_keys_str_mv AT príhnato zakonomírnostíformuvannâstrukturikeramíčnihmateríalívnaosnovíalnsic
AT serbenûktb zakonomírnostíformuvannâstrukturikeramíčnihmateríalívnaosnovíalnsic
AT sverdunvb zakonomírnostíformuvannâstrukturikeramíčnihmateríalívnaosnovíalnsic
AT časnikví zakonomírnostíformuvannâstrukturikeramíčnihmateríalívnaosnovíalnsic
AT karpecʹmv zakonomírnostíformuvannâstrukturikeramíčnihmateríalívnaosnovíalnsic
AT basûktv zakonomírnostíformuvannâstrukturikeramíčnihmateríalívnaosnovíalnsic
AT dellíhâ zakonomírnostíformuvannâstrukturikeramíčnihmateríalívnaosnovíalnsic
AT príhnato formationregularitiesofstructuresofalnsicbasedceramicmaterials
AT serbenûktb formationregularitiesofstructuresofalnsicbasedceramicmaterials
AT sverdunvb formationregularitiesofstructuresofalnsicbasedceramicmaterials
AT časnikví formationregularitiesofstructuresofalnsicbasedceramicmaterials
AT karpecʹmv formationregularitiesofstructuresofalnsicbasedceramicmaterials
AT basûktv formationregularitiesofstructuresofalnsicbasedceramicmaterials
AT dellíhâ formationregularitiesofstructuresofalnsicbasedceramicmaterials