Влияние содержания растворенных элементов в фазе на основе меди на политермы электрического сопротивления сплавов квазибинарного Cu-Ni₂Si сечения диаграммы состояния системы Cu-Ni-Si

Установлено, что удельное электрическое сопротивление сплавов, принадлежащих квазибинарному Cu-Ni₂Si сечению диаграммы состояния системы Cu-Ni-Si, линейно зависит от содержания компонентов силицида Ni₂Si в твердом растворе на основе меди. Встановлено, що питомий електричний опір сплавів, які належат...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Процессы литья
Date:2012
Main Authors: Христенко, В.В., Кириевский, Б.А., Трубаченко, Л.Н.
Language:Russian
Published: Фізико-технологічний інститут металів та сплавів НАН України 2012
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/126229
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Влияние содержания растворенных элементов в фазе на основе меди на политермы электрического сопротивления сплавов квазибинарного Cu-Ni₂Si сечения диаграммы состояния системы Cu-Ni-Si / В.В. Христенко, Б.А. Кириевский, Л.Н. Трубаченко // Процессы литья. — 2012. — № 2. — С. 73-77. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Установлено, что удельное электрическое сопротивление сплавов, принадлежащих квазибинарному Cu-Ni₂Si сечению диаграммы состояния системы Cu-Ni-Si, линейно зависит от содержания компонентов силицида Ni₂Si в твердом растворе на основе меди. Встановлено, що питомий електричний опір сплавів, які належать квазібінарному Cu-Ni₂Si перерізу діаграми стану системи Cu- Ni-Si, лінійно залежить від вмісту компонентів силіциду Ni₂Si в твердому розчині на основі міді. It is established that the electrical resistence of alloys of quasi-binary Cu-Ni₂Si cross section Cu-Ni-Si system diagram depends linearly on the content Ni₂Si silicide components in the copper based solid solution.
ISSN:0235-5884