Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si

• Published in: Доповіді НАН України
• Date: 2017
• Main Authors: Гайдар, Г.П., Баранський, П.І.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2017
• Subjects: Механіка
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/126644
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2017. — № 5. — С. 45-50. — Бібліогр.: 9 назв. — укр.

При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами у M= α^Φ||/α^Φ⊥ у широкому інтервалі концентрацій (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³). Показано, що в n-Ge (на відміну від n-Si) параметр М є малочутливим до наявності домішок у кристалах аж до концентрацій ~10¹⁵см⁻³. При Т = 85 K на кристаллах n-Ge и n-Sі исследованы концентрационные зависимости параметра анизотропии термо-ЭДС увлечения электронов фононами M= α^Φ||/α^Φ⊥ в широком интервале концентраций (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³). Показано, что в n-Ge (в отличие от n-Sі) параметр М является малочувствительным к наличию примесей в кристаллах вплоть до концентраций ~10¹⁵см⁻³. At Т = 85 K, the concentration dependences of the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermal e.m.f. in a wide range of concentrations (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³) are investigated on n-Ge and n-Si crystals. It is shown that the parameter M is insensitive in n-Ge (unlike n-Si) to the presence of impurities in the crystals up to concentrations ~10¹⁵см⁻³.