Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si
При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами у M= α^Φ||/α^Φ⊥ у широкому інтервалі концентрацій (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³). Показано, що в n-Ge (на відміну від n-Si) параметр М є малочутливим до...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Datum: | 2017 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2017
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/126644 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2017. — № 5. — С. 45-50. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-126644 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Гайдар, Г.П. Баранський, П.І. 2017-11-29T12:46:02Z 2017-11-29T12:46:02Z 2017 Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2017. — № 5. — С. 45-50. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. 1025-6415 DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2017.05.045 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/126644 621.315.592 При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами у M= α^Φ||/α^Φ⊥ у широкому інтервалі концентрацій (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³). Показано, що в n-Ge (на відміну від n-Si) параметр М є малочутливим до наявності домішок у кристалах аж до концентрацій ~10¹⁵см⁻³. При Т = 85 K на кристаллах n-Ge и n-Sі исследованы концентрационные зависимости параметра анизотропии термо-ЭДС увлечения электронов фононами M= α^Φ||/α^Φ⊥ в широком интервале концентраций (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³). Показано, что в n-Ge (в отличие от n-Sі) параметр М является малочувствительным к наличию примесей в кристаллах вплоть до концентраций ~10¹⁵см⁻³. At Т = 85 K, the concentration dependences of the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermal e.m.f. in a wide range of concentrations (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³) are investigated on n-Ge and n-Si crystals. It is shown that the parameter M is insensitive in n-Ge (unlike n-Si) to the presence of impurities in the crystals up to concentrations ~10¹⁵см⁻³. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Механіка Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si Зависимость параметра анизотропии термо-ЕРС увлечения от концентрации примесей в кристаллах n-Ge и n-Si Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si |
| spellingShingle |
Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si Гайдар, Г.П. Баранський, П.І. Механіка |
| title_short |
Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si |
| title_full |
Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si |
| title_fullStr |
Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si |
| title_full_unstemmed |
Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si |
| title_sort |
залежність параметра анізотропії термо-ерс захоплення від концентрації домішок у кристалах n-ge та n-si |
| author |
Гайдар, Г.П. Баранський, П.І. |
| author_facet |
Гайдар, Г.П. Баранський, П.І. |
| topic |
Механіка |
| topic_facet |
Механіка |
| publishDate |
2017 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Доповіді НАН України |
| publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Зависимость параметра анизотропии термо-ЕРС увлечения от концентрации примесей в кристаллах n-Ge и n-Si Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals |
| description |
При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії
термо-ЕРС захоплення електронів фононами у M= α^Φ||/α^Φ⊥ у широкому інтервалі концентрацій (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³). Показано, що в n-Ge (на відміну від n-Si) параметр М є малочутливим до
наявності домішок у кристалах аж до концентрацій ~10¹⁵см⁻³.
При Т = 85 K на кристаллах n-Ge и n-Sі исследованы концентрационные зависимости параметра анизотропии термо-ЭДС увлечения электронов фононами M= α^Φ||/α^Φ⊥ в широком интервале концентраций
(1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³). Показано, что в n-Ge (в отличие от n-Sі) параметр М является
малочувствительным к наличию примесей в кристаллах вплоть до концентраций ~10¹⁵см⁻³.
At Т = 85 K, the concentration dependences of the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermal e.m.f.
in a wide range of concentrations (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³) are investigated on n-Ge and n-Si crystals.
It is shown that the parameter M is insensitive in n-Ge (unlike n-Si) to the presence of impurities in the
crystals up to concentrations ~10¹⁵см⁻³.
|
| issn |
1025-6415 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/126644 |
| citation_txt |
Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2017. — № 5. — С. 45-50. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT gaidargp zaležnístʹparametraanízotropíítermoerszahoplennâvídkoncentracíídomíšokukristalahngetansi AT baransʹkiipí zaležnístʹparametraanízotropíítermoerszahoplennâvídkoncentracíídomíšokukristalahngetansi AT gaidargp zavisimostʹparametraanizotropiitermoersuvlečeniâotkoncentraciiprimeseivkristallahngeinsi AT baransʹkiipí zavisimostʹparametraanizotropiitermoersuvlečeniâotkoncentraciiprimeseivkristallahngeinsi AT gaidargp dependenceoftheanisotropyparameterofdragthermalemfontheconcentrationofimpuritiesinngeandnsicrystals AT baransʹkiipí dependenceoftheanisotropyparameterofdragthermalemfontheconcentrationofimpuritiesinngeandnsicrystals |
| first_indexed |
2025-12-07T18:36:35Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:36:35Z |
| _version_ |
1850875676252438528 |