Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si
При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії
 термо-ЕРС захоплення електронів фононами у M= α^Φ||/α^Φ⊥ у широкому інтервалі концентрацій (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³). Показано, що в n-Ge (на відміну від n-Si) параметр М є малочут...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Datum: | 2017 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2017
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/126644 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2017. — № 5. — С. 45-50. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862722492975546368 |
|---|---|
| author | Гайдар, Г.П. Баранський, П.І. |
| author_facet | Гайдар, Г.П. Баранський, П.І. |
| citation_txt | Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2017. — № 5. — С. 45-50. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Доповіді НАН України |
| description | При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії
термо-ЕРС захоплення електронів фононами у M= α^Φ||/α^Φ⊥ у широкому інтервалі концентрацій (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³). Показано, що в n-Ge (на відміну від n-Si) параметр М є малочутливим до
наявності домішок у кристалах аж до концентрацій ~10¹⁵см⁻³.
При Т = 85 K на кристаллах n-Ge и n-Sі исследованы концентрационные зависимости параметра анизотропии термо-ЭДС увлечения электронов фононами M= α^Φ||/α^Φ⊥ в широком интервале концентраций
(1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³). Показано, что в n-Ge (в отличие от n-Sі) параметр М является
малочувствительным к наличию примесей в кристаллах вплоть до концентраций ~10¹⁵см⁻³.
At Т = 85 K, the concentration dependences of the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermal e.m.f.
in a wide range of concentrations (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³) are investigated on n-Ge and n-Si crystals.
It is shown that the parameter M is insensitive in n-Ge (unlike n-Si) to the presence of impurities in the
crystals up to concentrations ~10¹⁵см⁻³.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:36:35Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-126644 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1025-6415 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:36:35Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гайдар, Г.П. Баранський, П.І. 2017-11-29T12:46:02Z 2017-11-29T12:46:02Z 2017 Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si / Г.П. Гайдар, П.І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. — 2017. — № 5. — С. 45-50. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. 1025-6415 DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2017.05.045 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/126644 621.315.592 При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії
 термо-ЕРС захоплення електронів фононами у M= α^Φ||/α^Φ⊥ у широкому інтервалі концентрацій (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³). Показано, що в n-Ge (на відміну від n-Si) параметр М є малочутливим до
 наявності домішок у кристалах аж до концентрацій ~10¹⁵см⁻³. При Т = 85 K на кристаллах n-Ge и n-Sі исследованы концентрационные зависимости параметра анизотропии термо-ЭДС увлечения электронов фононами M= α^Φ||/α^Φ⊥ в широком интервале концентраций
 (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³). Показано, что в n-Ge (в отличие от n-Sі) параметр М является
 малочувствительным к наличию примесей в кристаллах вплоть до концентраций ~10¹⁵см⁻³. At Т = 85 K, the concentration dependences of the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermal e.m.f.
 in a wide range of concentrations (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³) are investigated on n-Ge and n-Si crystals.
 It is shown that the parameter M is insensitive in n-Ge (unlike n-Si) to the presence of impurities in the
 crystals up to concentrations ~10¹⁵см⁻³. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Механіка Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si Зависимость параметра анизотропии термо-ЕРС увлечения от концентрации примесей в кристаллах n-Ge и n-Si Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals Article published earlier |
| spellingShingle | Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si Гайдар, Г.П. Баранський, П.І. Механіка |
| title | Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si |
| title_alt | Зависимость параметра анизотропии термо-ЕРС увлечения от концентрации примесей в кристаллах n-Ge и n-Si Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals |
| title_full | Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si |
| title_fullStr | Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si |
| title_full_unstemmed | Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si |
| title_short | Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si |
| title_sort | залежність параметра анізотропії термо-ерс захоплення від концентрації домішок у кристалах n-ge та n-si |
| topic | Механіка |
| topic_facet | Механіка |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/126644 |
| work_keys_str_mv | AT gaidargp zaležnístʹparametraanízotropíítermoerszahoplennâvídkoncentracíídomíšokukristalahngetansi AT baransʹkiipí zaležnístʹparametraanízotropíítermoerszahoplennâvídkoncentracíídomíšokukristalahngetansi AT gaidargp zavisimostʹparametraanizotropiitermoersuvlečeniâotkoncentraciiprimeseivkristallahngeinsi AT baransʹkiipí zavisimostʹparametraanizotropiitermoersuvlečeniâotkoncentraciiprimeseivkristallahngeinsi AT gaidargp dependenceoftheanisotropyparameterofdragthermalemfontheconcentrationofimpuritiesinngeandnsicrystals AT baransʹkiipí dependenceoftheanisotropyparameterofdragthermalemfontheconcentrationofimpuritiesinngeandnsicrystals |