Электротранспорт и эффект Холла в пленках Y₁₋xPrxBa₂Cu₃O₇₋y

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2007
• Hauptverfasser: Соловьев, А.Л., Дмитриев, В.М.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Schlagworte: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127499
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Электротранспорт и эффект Холла в пленках Y₁₋xPrxBa₂Cu₃O₇₋y / А.Л. Соловьев, В.М. Дмитриев // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 1. — С. 32-40. — Бібліогр.: 39 назв. — рос.

Исследованы продольное ρхх(Т) и поперечное ρхy(Т) удельное сопротивление, а также эффект Холла в пленках Y₁₋xPrxBa₂Cu₃O₇₋y с х ≈ 0,1. Несмотря на низкое значение Тс ≈ 78 К, зависимость ρхх(Т) в широком интервале температур линейная. В то же время ρхy(Т) имеет выраженный полупроводниковый характер. Измеренное значение коэффициента Холла RH ≈1,3, что в ≈3 раза меньше, чем в пленке YBa₂Cu₃O₇₋у с аналогичной Тс. Константа взаимодействия λ ≈ 1,26, наоборот, в ≈ 3,5 раза больше. Показано, что эти и другие обнаруженные особенности можно объяснить эффектами локализации носителей заряда в системах Y₁₋xPrxBa₂Cu₃O₇₋y. Досліджено поздовжний ρхх(Т) та поперечний ρхy(Т) опiр, а також ефект Холу в плівках Y₁₋xPrxBa₂Cu₃O₇₋y із с х ≈ 0,1. Незважаючи на низьке значення Тс ≈ 78 К, залежність ρхх(Т) у широкому інтервалі температур є лінійною. У той же час ρхy(Т) має виражений напівпровідниковий характер. Виміряне значення коефіцієнта Хола RH ≈ 1,3, що в ≈3 рази менше, ніж у плівці YBa2Cu₃O7–y із аналогічною Тс. Константа взаємодії λ ≈ 1,26 навпаки, в ≈ 3,5 рази більше. Показано, що ці й інші виявлені особливості можна пояснити ефектами локалізації носіїв заряду в системах Y₁₋xPrxBa₂Cu3O₇₋y. Longitudinal ρхх(Т) and transverse ρхy(Т) resistivities as well as Hall effect were studied for Y₁₋xPrxBa₂Cu₃O₇₋y films with с х ≈ 0,1. Despite a low Тс value (≈78 K) the ρхх(Т) dependence is linear in a wide temperature interval. At the same time ρхy(Т) is found to demonstrate a pronounced semiconducting behavior in the same temperature interval. The measured value of the Hall coefficient RH ≈ 1,3 is about 3 times less than in the YBa₂Cu₃O₇₋у film with the same Тс. In contrast, the coupling constant λ ≈ 1,26 is about 3.5 times larger. It is shown that most of the peculiarities observed can be explained in terms of charge carriers localization in Y₁₋xPrxBa₂Cu₃O₇₋y systems.