Проявление спин-орбитального взаимодействия в пленках висмута в параллельном магнитном поле

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2007
• Hauptverfasser: Комник, Ю.Ф., Андриевский, В.В., Беркутов, И.Б.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Schlagworte: Электpонные свойства металлов и сплавов
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127506
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Проявление спин-орбитального взаимодействия в пленках висмута в параллельном магнитном поле / Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 1. — С. 105-114. — Бібліогр.: 58 назв. — рос.

Проанализированы магнитополевые зависимости сопротивления тонких пленок висмута
 толщиной 100–700 при низких температурах (1,5–77 К) в рамках представлений о квантовых поправках к проводимости, обусловленных эффектами слабой локализации и взаимодействия электронов. Показано, что многообразие и изменяемость кривых магнитосопротивления
 в параллельном поле при изменении толщины и температуры обусловлены тем, что с ростом
 поля происходит повышение значений времени спин-орбитального взаимодействия τso, в результате чего меняется соотношение между τso и времени фазовой релаксации τφ. Этот результат подтверждает предположение о том, что сильное спин-орбитальное взаимодействие при поверхностном рассеянии электронов связано с существованием градиента потенциала вблизи
 поверхности металла, а параллельное магнитное поле приводит к изменению ориентации спинов, что сопровождается уменьшением частоты спин-орбитальных процессов. Проаналізовано магнітопольові залежності опору тонких плівок вісмуту товщиною
 100–700 при низьких температурах (1,5–77 К) у межах уявлень щодо квантових поправок до
 провідності, які обумовлено ефектами слабкої локалізації та взаємодії електронів. Показано,
 що різноманітність та змінність кривих магнітоопору в паралельному полі при зміні товщини
 та температури обумовлено тим, що зі зростанням поля здійснюється підвищення значень часу
 спін-орбітальної взаємодії τso, в результаті чого змінюється співвідношення між τso та часом
 фазової релаксації τφ. Цей результат підтверджує припущення про те, що сильна спін-орбітальна взаємодія при поверхневому розсіюванні електронів пов’язана з існуванням градієнта
 потенціалу поблизу поверхні металу, а паралельне магнітне поле призводить до зміни орієнтації спінів, що супроводжується зменшенням частоти спін-орбітальних процесів. The magnetic field dependences of resistance
 of thin Bi films (100–700 ) at low temperatures
 (1,5–77 K) have been analyzed within the
 concept of quantum corrections to conductivity
 induced by the effects of weak localization and
 electron interaction. It is shown that the diversity
 of the magnetoresistance curves in a parallel
 magnetic field with varying film thickness and
 temperature accounts for the fact that the
 spin—orbit interaction time τso increases with
 rise in field, causing the correlation between τso
 and phase relaxation time to change τφ. This result
 gives support to the assumption that on surface
 scattering of electrons the strong spin—orbit
 interaction is due to the potential gradient near
 the metal surface and the parallel magnetic field
 involves a change in spin orientations, accompanying
 by a decrease in frequency of the spin—orbit
 processes.