Проявление спин-орбитального взаимодействия в пленках висмута в параллельном магнитном поле

Проанализированы магнитополевые зависимости сопротивления тонких пленок висмута толщиной 100–700 при низких температурах (1,5–77 К) в рамках представлений о квантовых поправках к проводимости, обусловленных эффектами слабой локализации и взаимодействия электронов. Показано, что многообразие и изме...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физика низких температур
Date:2007
Main Authors: Комник, Ю.Ф., Андриевский, В.В., Беркутов, И.Б.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127506
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Проявление спин-орбитального взаимодействия в пленках висмута в параллельном магнитном поле / Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 1. — С. 105-114. — Бібліогр.: 58 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-127506
record_format dspace
spelling Комник, Ю.Ф.
Андриевский, В.В.
Беркутов, И.Б.
2017-12-23T12:34:54Z
2017-12-23T12:34:54Z
2007
Проявление спин-орбитального взаимодействия в пленках висмута в параллельном магнитном поле / Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 1. — С. 105-114. — Бібліогр.: 58 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 73.20.Fz, 73.50.Jt
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127506
Проанализированы магнитополевые зависимости сопротивления тонких пленок висмута толщиной 100–700 при низких температурах (1,5–77 К) в рамках представлений о квантовых поправках к проводимости, обусловленных эффектами слабой локализации и взаимодействия электронов. Показано, что многообразие и изменяемость кривых магнитосопротивления в параллельном поле при изменении толщины и температуры обусловлены тем, что с ростом поля происходит повышение значений времени спин-орбитального взаимодействия τso, в результате чего меняется соотношение между τso и времени фазовой релаксации τφ. Этот результат подтверждает предположение о том, что сильное спин-орбитальное взаимодействие при поверхностном рассеянии электронов связано с существованием градиента потенциала вблизи поверхности металла, а параллельное магнитное поле приводит к изменению ориентации спинов, что сопровождается уменьшением частоты спин-орбитальных процессов.
Проаналізовано магнітопольові залежності опору тонких плівок вісмуту товщиною 100–700 при низьких температурах (1,5–77 К) у межах уявлень щодо квантових поправок до провідності, які обумовлено ефектами слабкої локалізації та взаємодії електронів. Показано, що різноманітність та змінність кривих магнітоопору в паралельному полі при зміні товщини та температури обумовлено тим, що зі зростанням поля здійснюється підвищення значень часу спін-орбітальної взаємодії τso, в результаті чого змінюється співвідношення між τso та часом фазової релаксації τφ. Цей результат підтверджує припущення про те, що сильна спін-орбітальна взаємодія при поверхневому розсіюванні електронів пов’язана з існуванням градієнта потенціалу поблизу поверхні металу, а паралельне магнітне поле призводить до зміни орієнтації спінів, що супроводжується зменшенням частоти спін-орбітальних процесів.
The magnetic field dependences of resistance of thin Bi films (100–700 ) at low temperatures (1,5–77 K) have been analyzed within the concept of quantum corrections to conductivity induced by the effects of weak localization and electron interaction. It is shown that the diversity of the magnetoresistance curves in a parallel magnetic field with varying film thickness and temperature accounts for the fact that the spin—orbit interaction time τso increases with rise in field, causing the correlation between τso and phase relaxation time to change τφ. This result gives support to the assumption that on surface scattering of electrons the strong spin—orbit interaction is due to the potential gradient near the metal surface and the parallel magnetic field involves a change in spin orientations, accompanying by a decrease in frequency of the spin—orbit processes.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Электpонные свойства металлов и сплавов
Проявление спин-орбитального взаимодействия в пленках висмута в параллельном магнитном поле
Manifestation of spin–orbit interaction in bismuth films in magnetic field parallel to surface
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Проявление спин-орбитального взаимодействия в пленках висмута в параллельном магнитном поле
spellingShingle Проявление спин-орбитального взаимодействия в пленках висмута в параллельном магнитном поле
Комник, Ю.Ф.
Андриевский, В.В.
Беркутов, И.Б.
Электpонные свойства металлов и сплавов
title_short Проявление спин-орбитального взаимодействия в пленках висмута в параллельном магнитном поле
title_full Проявление спин-орбитального взаимодействия в пленках висмута в параллельном магнитном поле
title_fullStr Проявление спин-орбитального взаимодействия в пленках висмута в параллельном магнитном поле
title_full_unstemmed Проявление спин-орбитального взаимодействия в пленках висмута в параллельном магнитном поле
title_sort проявление спин-орбитального взаимодействия в пленках висмута в параллельном магнитном поле
author Комник, Ю.Ф.
Андриевский, В.В.
Беркутов, И.Б.
author_facet Комник, Ю.Ф.
Андриевский, В.В.
Беркутов, И.Б.
topic Электpонные свойства металлов и сплавов
topic_facet Электpонные свойства металлов и сплавов
publishDate 2007
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Manifestation of spin–orbit interaction in bismuth films in magnetic field parallel to surface
description Проанализированы магнитополевые зависимости сопротивления тонких пленок висмута толщиной 100–700 при низких температурах (1,5–77 К) в рамках представлений о квантовых поправках к проводимости, обусловленных эффектами слабой локализации и взаимодействия электронов. Показано, что многообразие и изменяемость кривых магнитосопротивления в параллельном поле при изменении толщины и температуры обусловлены тем, что с ростом поля происходит повышение значений времени спин-орбитального взаимодействия τso, в результате чего меняется соотношение между τso и времени фазовой релаксации τφ. Этот результат подтверждает предположение о том, что сильное спин-орбитальное взаимодействие при поверхностном рассеянии электронов связано с существованием градиента потенциала вблизи поверхности металла, а параллельное магнитное поле приводит к изменению ориентации спинов, что сопровождается уменьшением частоты спин-орбитальных процессов. Проаналізовано магнітопольові залежності опору тонких плівок вісмуту товщиною 100–700 при низьких температурах (1,5–77 К) у межах уявлень щодо квантових поправок до провідності, які обумовлено ефектами слабкої локалізації та взаємодії електронів. Показано, що різноманітність та змінність кривих магнітоопору в паралельному полі при зміні товщини та температури обумовлено тим, що зі зростанням поля здійснюється підвищення значень часу спін-орбітальної взаємодії τso, в результаті чого змінюється співвідношення між τso та часом фазової релаксації τφ. Цей результат підтверджує припущення про те, що сильна спін-орбітальна взаємодія при поверхневому розсіюванні електронів пов’язана з існуванням градієнта потенціалу поблизу поверхні металу, а паралельне магнітне поле призводить до зміни орієнтації спінів, що супроводжується зменшенням частоти спін-орбітальних процесів. The magnetic field dependences of resistance of thin Bi films (100–700 ) at low temperatures (1,5–77 K) have been analyzed within the concept of quantum corrections to conductivity induced by the effects of weak localization and electron interaction. It is shown that the diversity of the magnetoresistance curves in a parallel magnetic field with varying film thickness and temperature accounts for the fact that the spin—orbit interaction time τso increases with rise in field, causing the correlation between τso and phase relaxation time to change τφ. This result gives support to the assumption that on surface scattering of electrons the strong spin—orbit interaction is due to the potential gradient near the metal surface and the parallel magnetic field involves a change in spin orientations, accompanying by a decrease in frequency of the spin—orbit processes.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127506
citation_txt Проявление спин-орбитального взаимодействия в пленках висмута в параллельном магнитном поле / Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 1. — С. 105-114. — Бібліогр.: 58 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT komnikûf proâvleniespinorbitalʹnogovzaimodeistviâvplenkahvismutavparallelʹnommagnitnompole
AT andrievskiivv proâvleniespinorbitalʹnogovzaimodeistviâvplenkahvismutavparallelʹnommagnitnompole
AT berkutovib proâvleniespinorbitalʹnogovzaimodeistviâvplenkahvismutavparallelʹnommagnitnompole
AT komnikûf manifestationofspinorbitinteractioninbismuthfilmsinmagneticfieldparalleltosurface
AT andrievskiivv manifestationofspinorbitinteractioninbismuthfilmsinmagneticfieldparalleltosurface
AT berkutovib manifestationofspinorbitinteractioninbismuthfilmsinmagneticfieldparalleltosurface
first_indexed 2025-12-07T19:10:30Z
last_indexed 2025-12-07T19:10:30Z
_version_ 1850877810743181312