Оптические свойства и параметры кристаллической решетки твердых растворов TIGa₁₋xFexSe₂

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2007
• Автори: Гасанов, Н.З., Керимова, Э.М., Гасанов, А.И., Асадов, Ю.Г.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Теми: Электpонные свойства металлов и сплавов
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127507
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Оптические свойства и параметры кристаллической решетки твердых растворов TIGa₁₋xFexSe₂ / Н.З. Гасанов, Э.М. Керимова, А.И. Гасанов, Ю.Г. Асадов // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 1. — С. 115-118. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Исследована система полупроводниковых твердых растворов TlGaSе₂–TlFeSe₂. Рентгеноструктурный анализ позволил установить параметры кристаллической решетки соединений данной системы. В температурном интервале 10–120 К проведены экспериментальные исследования спектров поглощения монокристаллов твердых растворов TIGa₁₋xFexSe₂ (x = 0; 0,005; 0,01), определены энергетические положения и коэффициенты температурного сдвига экситонов на краю и в глубине оптического поглощения. Досліджено систему напівпровідникових твердих розчинів TlGaSе₂–TlFeSe₂. Рентгеноструктурний аналіз дозволив установити параметри кристалічної гратки сполук даної системи. У температурному інтервалі 10–120 К проведено експериментальні дослідження спектрів поглинання монокристалів твердих розчинів TIGa₁₋xFexSe₂ (x = 0; 0,005; 0,01), визначено енергетичні положення та коефіцієнти температурного зсування екситонів на краю й у глибині оптичного поглинання. The solid solutions of TlGaSе₂–TlFeSe₂ semiconductive system has been investigated. The x-ray diffraction analysis made it possible to estimate the crystal lattice parameters of this system compounds. The absorption spectra experimental measurements of TIGa₁₋xFexSe₂ single crystals (x = 0; 0.005; 0.01) were made at 10–120 K temperature interval. The level positions and the coefficients of temperature shift of excitons at the edge of and deep are optical absorption were determined.