Оптические свойства и параметры кристаллической решетки твердых растворов TIGa₁₋xFexSe₂ - Гасанов, Н.З.; Керимова, Э.М.; Гасанов, А.И.; Асадов, Ю.Г. (Физика низких температур, 2007)
Исследована система полупроводниковых твердых растворов TlGaSе₂–TlFeSe₂. Рентгеноструктурный анализ позволил установить параметры кристаллической решетки соединений
данной системы. В температурном интервале 10–120 К проведены экспериментальные исследования спектров поглощения монокристаллов твердых растворов TIGa₁₋xFexSe₂ (x = 0; 0,005;
0,01), определены энергетические положения и коэффициенты температурного сдвига экситонов на краю и в глубине оптического поглощения. Досліджено систему напівпровідникових твердих розчинів TlGaSе₂–TlFeSe₂. Рентгеноструктурний аналіз дозволив установити параметри кристалічної гратки сполук даної системи.
У температурному інтервалі 10–120 К проведено експериментальні дослідження спектрів поглинання монокристалів твердих розчинів TIGa₁₋xFexSe₂ (x = 0; 0,005; 0,01), визначено енергетичні положення та коефіцієнти температурного зсування екситонів на краю й у глибині оптичного поглинання. The solid solutions of TlGaSе₂–TlFeSe₂ semiconductive
system has been investigated. The
x-ray diffraction analysis made it possible to estimate
the crystal lattice parameters of this system
compounds. The absorption spectra experimental
measurements of TIGa₁₋xFexSe₂ single crystals
(x = 0; 0.005; 0.01) were made at 10–120 K temperature
interval. The level positions and the coefficients
of temperature shift of excitons at the
edge of and deep are optical absorption were determined.