Вертикальный транспорт в разъединенном гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2007
• Main Authors: Березовец, В.А., Моисеев, К.Д., Нижанковский, В.И., Михайлова, М.П., Парфеньев, Р.В., Яковлев, Ю.П.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Subjects: Электронные свойства низкоразмерных систем
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127531
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Вертикальный транспорт в разъединенном гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs / В.А. Березовец, К.Д. Моисеев, В.И. Нижанковский, М.П. Михайлова, Р.В. Парфеньев, Ю.П. Яковлев // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 194-206. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

В разъединенном гетеропереходе II типа P(N)-GaInAsSb/p-InAs с резкой планарной границей раздела (переходной слой порядка 1,2 нм) формирование самосогласованных квантовых ям для электронов и дырок контролируется перекрытием энергетических зон на гетерогранице при изменении типа и уровня легирования к...