Вертикальный транспорт в разъединенном гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs
В разъединенном гетеропереходе II типа P(N)-GaInAsSb/p-InAs с резкой планарной границей раздела (переходной слой порядка 1,2 нм) формирование самосогласованных квантовых ям для электронов и дырок контролируется перекрытием энергетических зон на гетерогранице при изменении типа и уровня легирования к...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127531 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Вертикальный транспорт в разъединенном гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs / В.А. Березовец, К.Д. Моисеев, В.И. Нижанковский, М.П. Михайлова, Р.В. Парфеньев, Ю.П. Яковлев // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 194-206. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Осцилляции фотопроводимости двумерной системы Рашбы в переменном магнитном поле
за авторством: Ляпилин, И.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ляпилин, И.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Периодические структуры со спин-орбитальным взаимодействием
за авторством: Демиховский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Демиховский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2007)
Двумерные электронные системы с сильным взаимодействием в кремниевых полевых структурах
за авторством: Долгополов, В.Т.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Долгополов, В.Т.
Опубліковано: (2007)
Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)
Tunneling and magnetic properties of triple quantum dots
за авторством: Kikoin, K.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Kikoin, K.
Опубліковано: (2007)
Слабая локализация в многослойных структурах и сверхрешетках
за авторством: Новокшонов, С.Г.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Новокшонов, С.Г.
Опубліковано: (2007)
Осцилляции спиновой поляризации в двумерной системе Рашбы в квантующем магнитном поле
за авторством: Ляпилин, И.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ляпилин, И.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇
за авторством: Левченко, И.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Левченко, И.В., та інші
Опубліковано: (2017)
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
Квантовый эффект Холла в двойной квантовой яме InAs/AlSb
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Вертикальный профиль проводимости атмосферы, отвечающий параметрам шумановского резонанса
за авторством: Николаенко, А.П., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Николаенко, А.П., та інші
Опубліковано: (2015)
Частотна модуляція рекомбінаційного випромінювання гетероструктури InAs/GaAs з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2022)
Resonance Raman scattering by intersubband plasmon-phonon excitations in InAs/AlSb structures
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2003)
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Вертикальный несимметричный удар параболического цилиндра о поверхноВертикальный несимметричный удар параболического цилиндра о поверхность сжимаемой жидкостисть сжимаемой жидкости
за авторством: Гавриленко, В.В.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Гавриленко, В.В.
Опубліковано: (2000)
Транспорт
за авторством: Фіголь, Д.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Фіголь, Д.
Опубліковано: (2016)
InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
GaSb whiskers in sensor electronics
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2016)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2008)
Формування реакційного шару при анодній поляризації Ga-, Sb-, GaSb-електродів у розчині гідроксиду натрію
за авторством: Омельчук, А.О., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Омельчук, А.О., та інші
Опубліковано: (2008)
InAs photodiodes (review)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)
InAs фотодіоди (огляд)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)
Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2017)
Теплообмен и гидродинамика жидкости в системе вертикальный цилиндрический канал – грунт
за авторством: Басок, Б.И., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Басок, Б.И., та інші
Опубліковано: (2008)
Concentration dependences of the electron effective mass, Fermi energy, and filling of subbands in doped InAs/AlSb quantum wells
за авторством: P. J. Baymatov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: P. J. Baymatov, та інші
Опубліковано: (2017)
Concentration dependences of the electron effective mass, Fermi energy, and filling of subbands in doped InAs/AlSb quantum wells
за авторством: P. J. Baymatov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: P. J. Baymatov, та інші
Опубліковано: (2017)