Зображення обкладинки

Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility

The apparent insulator—quantum Hall—insulator (I—QH—I) transition for filling factor 1 has been investigated in p-type Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with εFτ/h ≈ 1. Scaling analysis is carried out for both the low- and high-field transition point. In low magnetic fields ωcτ < 1 pronounced QH...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физика низких температур
Дата:	2007
Автори:	Arapov, Yu.G., Harus, G.I., Karskanov, I.V., Neverov, V.N., Shelushinina, N.G., Yakunin, M.V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
Теми:	Электронные свойства низкоразмерных систем
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/127532
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility / Yu.G Arapov, G.I. Harus, I.V. Karskanov, V.N. Neverov, N.G.Shelushinina, M.V. Yakunin // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 207-210. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2004)

Electronic band structure and magnetic susceptibility of Ge₁₋xSix solid solutions
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2004)

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of cation substitution on electrical conductivity and optical absorption edge in Cu₇(Ge1–xSix)S₅I mixed crystals
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2012)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008)

Influence of cation substitution on electrical conductivity and optical absorption edge in Cu7(Ge1-xSix)S5I mixed crystals
за авторством: I. P. Studenyak, та інші
Опубліковано: (2012)

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)

The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)

Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2011)

Changes in Hall parameters after -irradiation (60So) of n-Ge
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2011)

Study of the absorption band in the range 0.3-0.9 eV inherent to solid solutions p-Ge₁₋xSix irradiated by fast electrons at the temperature 77 K
за авторством: Abbasov, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)

Exciton spectroscopy with a spatially separated electron and a hole in a Ge/Si heterostructure with germanium quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnij
Опубліковано: (2018)

Phase formation and crystal structure of LaCu13–xSix compounds at 870 K
за авторством: L. O. Fedyna, та інші
Опубліковано: (2020)

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd₂₋xCexCuO₄₊δ with nonstoichiometric disorder
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2011)

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)

Interference effects in the Si–Ge heterostructures with quantum wells of different width
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2016)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Периодические структуры со спин-орбитальным взаимодействием
за авторством: Демиховский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2007)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)

Tunneling and magnetic properties of triple quantum dots
за авторством: Kikoin, K.
Опубліковано: (2007)

Осцилляции фотопроводимости двумерной системы Рашбы в переменном магнитном поле
за авторством: Ляпилин, И.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Двумерные электронные системы с сильным взаимодействием в кремниевых полевых структурах
за авторством: Долгополов, В.Т.
Опубліковано: (2007)

Осцилляции спиновой поляризации в двумерной системе Рашбы в квантующем магнитном поле
за авторством: Ляпилин, И.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)

Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)

The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄₊δ (x = 0.14)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)

Charge transition phenomena in the heterostructure crystalline Si-Bi-amorphous film Ge₃₃As₁₂Se₅₅
за авторством: Kondrat, O., та інші
Опубліковано: (2004)